简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

简介：首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块（PCM）监控的两种方法：四探针法和范德堡法，并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题；针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题，通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大，通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小，多晶淀积晶粒越大，根据多晶导电理论可知多晶晶粒大，晶粒间界变小，晶粒间界杂质俘获变少，多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高，因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数，为保证多晶淀积速率稳定，多晶炉管维护次数尽量少于6次，同时需要对多晶淀积温度进行控制。

简介：Soitec董事长兼首席执行官近日透露,苹果iPhone6s已经在SOI(绝缘体上硅)的基质甚至是长时间带阻滤波器的SOI上使用多个射频(RF)芯片。与此同时,Intel和IBM正使用SOI工艺推动硅光子发展。虽然SOI工艺成功之路历经坎坷,但目前已步入向主要市场渗透的正轨。格罗方德高级副总裁兼总经理RutgerWijburg甚至声称FD-SOI(全耗尽绝缘硅)在四年内的销售量将超过FinFETs。

简介：镀锡层具有抗腐蚀性、无毒性和可焊性,被广泛应用于印制板领域。文章概述了应用于PCB镀锡过程中的电镀锡工艺种类和添加剂的发展状况。对各种镀锡的工艺和特点进行了归纳、总结,指出未来电镀纯锡仍将占主导地位。介绍了不同添加剂在镀锡中的作用,指出添加剂将由单一型向多样型发展,并对添加剂的应用进行了展望。

简介：文章通过选择合适的刮胶、设计树脂塞孔模板、优化刮印及固化参数,利用丝网印刷技术进行电路板树脂塞孔的制作技巧。通过应用这些技巧实现了0.15mm-0.60mm孔径范围内高厚径比孔的无空洞、无凹陷塞孔。并对这些技术进行了实验验证。