简介:基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
简介:采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.
简介:Cu-andCo-substitutedNiZnferritethinfilms,Ni0.4-xZn0.6CuxFe2O4andNi0.5Zn0.5CoxFe2-xO4(0≤x≤0.2),aresynthesizedbysol-gelprocess.ThecrystallographicandmagneticpropertiesofCu-andCo-substitutedNiZnferritethinfilmshavebeeninvestigated.ThelatticeparameterdecreaseswithCusubstitutionandincreaseswithCosubstitution.ThesaturationmagnetizationdecreasesandthecoercivityincreaseswiththeincreaseofCusubstitution.Moreover,thesaturationmagnetizationgraduallyincreaseswiththeincreaseofCosubstitutionwhenx≤0.10,butdecreaseswhenx>0.10.Meanwhile,thecoercivityinitiallydecreaseswiththeincreaseofCosubstitutionwhenx≤0.10,butincreaseswhenx>0.10.
简介:ADBWARP12°~30°丰口22°~50°可变焦成像灯使用首创的环形控制技术控制焦距、可变光阑、图案、切光片等;有4个360°无限制旋转的切光片,使光束更具创造性,可用手指精确调整位置;稳定性好,不会产生颤动,可根据环上的刻度预先设定参数。其他主要性能特点有使用800W轴向卤钨灯泡,输出亮度大于1200W的常规成像灯;双色层玻璃反射器可降低光束温度;使用最大的B尺寸图案片,分辨率高;独立的灯座位置,可作聚光/平滑调整;具有带滑道的可变光闸隔层加1个360°旋转图案片(或2个图案片没有可变光闸);灯具纵向可作平衡调整;灯体小巧,可节省空间。