简介:摘要本文对比分析了GaN器件,CoolMOS和SiC二极管的开关损耗,并将图腾PFC和市场主流的H桥PFC进行对比研究。通过两台实验样机研究了GaN器件直接替换CoolMOS后的效率改善,也对比了两种拓扑都使用GaN器件的效率差异,对现有GaN器件的整体性能进行了评估。最后,都使用工频整流对两种PFC拓扑的效率提升空间进行了探索。
简介:从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiCJFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。
简介:本文阐述了耐高压大功率电力半导体器件的种类,主要介绍了最新的HVIGBT、HVIPM、GCT器件的基本结构、基本原理、基本性能和耐高压、大功率电力电子器件的应用范畴。
简介:摘要:电子元器件进行科学筛选的同时对电子元器件的质量也进行有效的控制来使其性能得到充分的发挥。也就是说,电子元器件在厂家进行筛选之后其质量仍不能满足使用者的要求,或者一些生产厂家根本就没有对电子元器件进行筛选等。可焊性测试仪是电子元器件在生产过程中 、筛选复验和装机前进行可焊性测试的仪器 ,其技术指标包括温度 、 润湿力 、浸渍深度 、速率和时间论文依据相关国家检定规范 ,通过实践研究 ,实现了可焊性测试仪这些技术指标的校准 。所以在对电子元器件进行筛选和质量控制就必须要重视,使其筛选的力度能进一步得到提升,同时也能促进质量控制工作的完善。