简介:交流UPS的主要功能,是为电力系统中的各种变配电设备、监控用计算机等提供高质量的不间断电源。本文重点介绍了常时逆变器供电方式的UPS电路结构,并将电路中功率模块内的半导体元件全部置换成SiC半导体元件。全SiC功率模块用于SiC-UPS时,电力变换损耗约减小30%,轻载时的运转效率达到90%以上,而且可靠性高。
简介:摘要:电子元器件进行科学筛选的同时对电子元器件的质量也进行有效的控制来使其性能得到充分的发挥。也就是说,电子元器件在厂家进行筛选之后其质量仍不能满足使用者的要求,或者一些生产厂家根本就没有对电子元器件进行筛选等。可焊性测试仪是电子元器件在生产过程中 、筛选复验和装机前进行可焊性测试的仪器 ,其技术指标包括温度 、 润湿力 、浸渍深度 、速率和时间论文依据相关国家检定规范 ,通过实践研究 ,实现了可焊性测试仪这些技术指标的校准 。所以在对电子元器件进行筛选和质量控制就必须要重视,使其筛选的力度能进一步得到提升,同时也能促进质量控制工作的完善。
简介:为了研究高开关速度下寄生参数对SiCMOSFET开关特性的影响,以双脉冲测试电路为平台,借助于LTspice软件,探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对SiCMOSFET开通和关断时间,开通和关断损耗,电压和电流尖峰的影响。结果表明:RG对寄生振铃有抑制作用,但需要以增大开关时间和开关损耗为代价;源极电感LS具有负反馈作用,其对寄生振铃的抑制也是以增大开关时间和开关损耗为代价;漏极电感LD和栅极电感LG的增加都会使电流和电压尖峰增大,LD的作用较LG明显;漏源极电容CDS是产生电压和电流尖峰的主要因素;栅漏极电容CGD的大小决定了漏源极电压uDS的变化速率;栅源极电容CGS主要决定了器件的开关延时时间和漏极电流的变化速率,对寄生振铃影响不大。
简介:摘要在混成式InSb焦平面器件制造过程中,热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因,其较高的碎裂概率严重制约InSb焦平面器件成品率。针对InSb焦平面器件温度循环下碎裂的现象,设计出热冲击试验装置,采用该装置,对InSb焦平面器件进行热冲击试验,获得InSb焦平面器件碎裂位置、分布等丰富的试验数据;通过对碎裂机理进行分析,梳理并识别生产过程中引起碎裂的工艺因素,确定了热失配应力和工艺损伤是造成InSb焦平面器件碎裂的两个主要原因。通过对底部填充材料的择优选择、固化过程的优化,控制芯片切割中的进刀速度,选择适合InSb材料的磨料,减少热失配应力,避免生产过程中引入的工艺损伤,降低了InSb焦平面器件碎裂的概率,显著提高InSb焦平面器件的成品率。该研究工作分析了混成式InSb焦平面器件碎裂机理,找到了引起InSb焦平面器件碎裂的主要原因,并采取有效措施,降低了碎裂概率,使成品率提高50%,提升InSb焦平面器件的制造水平,将InSb焦平面器件应力分析结果应用于制造过程,指导探测器结构设计和工艺优化,对320*256、640*512中规模InSb焦平面器件研制具有重要意义。