简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

简介：

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简介：介绍电力机车传动系统的构成,对开关器件功率损耗进行简要分析,通过与传统硅基功率器件在机车变流器应用的对比分析,说明碳化硅(SiC)功率器件在轨道交通领域的应用优势。

简介：本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上，结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势，最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。

简介：[摘要]伴随新能源变流器的持续应用发展，其今后发展趋势将以较高的功率密度、可靠高效、低成本等为主。以SiC器件为基础下新能源类型逆变器属于必然的一种选择。我国现阶段已有部分光伏的逆变器内部着手引入SiC器件，并且投放运行，所获取效果比较理想。鉴于此，本文主要探讨光伏逆变器当中SiC器件的应用及其挑战，仅供业内相关人士参考。

简介：摘要：随着我国经济水平的不断提高，人们对于生活质量的要求也越来越高，在建筑工程项目中，暖通空调系统得到了广泛应用，但是该系统在应用过程中耗能非常严重，因此，为了响应我国节能减排的号召，对建筑工程暖通空调系统节能技术要点及应用展开研究。

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简介：DC-DC隔离模块电源；模拟信号隔离放大器；

简介：量监禁效果在nanoelectronics和光电子应用是重要的；然而，在量监禁的理论之间有差异，它显示拓宽的乐队差距仅仅在在大直径的nanowires(NW)拓宽的乐队差距的小尺寸，和试验性的观察发生。这份报纸在紫外可见的吸收系列报导吸收边的明显的蓝移动原文如此有50-300nm的直径的NW。根据量监禁，理论和高分辨率的传播电子显微镜学想象原文如此NW，拓宽在的乐队差距原文如此，有多达几百纳米的直径的NW充分被解释；结果能帮助解释与大直径在另外的NW拓宽的类似的乐队差距。

简介：微管道（MP）一直是SiC晶体中的主要缺陷。其它的结构缺陷有：位错，堆垛层错和本征点缺陷及其与杂质所形成的复合体。除高质量晶体外，具有平滑的、无缺陷表面的衬底对于生长出器件级高质量外延层也很关键。晶片加工过程中可能在衬底表面上感生出缺陷（例如划痕或亚表面损伤），它们对随后所生长的外延层及所制器件都有很不利的影响。

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简介：SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。

简介：TN2532003021143光纤电压传感器最新进展=Recentadvancesinfiber-opticvoltagesensors[刊,中]/唐丽杰（北方交通大学光波技术研究所.北京（100044））,吴重庆…//半导体光电.—2002,23（4）.—228-232综述了光纤电压传感器近年来国内外的最新研究进展,包括可用于SF6绝缘高压开关的光纤电压传感器、频率调制型的光纤电压传感器以及光控灵敏度的光纤电压传感器。介绍了国内在光纤电压传感器方面的研究进展,包括以DSP为信号处理芯片的BGO晶体的光纤电压传感器,以及应用光纤传感器机理来测试脉冲电压和电场的方法,并对光纤电压互感器暂态信号处理的原理进行了研究,试验证明可以满足继电保护的要求。图10参

简介：TN2532002042765光纤喇曼放大技术及其应用=FiberRamanamplifiertechnologyanditsapplication[刊,中]/赵玲(信息产业部电子第34所.广西,桂林(541004))∥光通信技术.—2001,25(4).—311-313概述了光纤喇曼放大器的发展情况、分布式喇曼放大器的原理和特性,阐述了掺铒光纤放大器与喇曼放大

简介：答：无源器件如：电阻电容，电感等，它们接入电路无需配置电源供电，即可以进行信号的传输变换及其他功能。而有源器件，如晶体管、集成电路(IC)等需配置相应的电源供电，方可正常有效的工作。如：三极管的基极与集电极电源，IC电路的电源供电等。没有电源供电，仅是一个孤立的晶体管或集成电路是根本不能工作的。

简介：LowcostsiliconcarbonnanometerpowderwassynthesizedbycarbothermalreductionmethodwithnanometerSiO2andcarbonasrawmaterial.Itssynthesisthermodynamicswerediscussed.TheinfluenceofLaonTG-DSCcurvewasalsoanalyzed.ItindicatedthatthesynthesisprocessofSiCpowderhadtwosteps.InthefirststeptwomedialproductionsofSiOgandCOgformed,andinthesecondstep,β-SiCwasfinallysynthesized.After0.3%Laadded,atthefirststep,theinitiatoryformingtemperatureofproducingSiO(g)andCO(g)declinedfrom1351.4to1250.9℃,andthethermalactivationenergydecreasedfrom223.6to34.7J·g-1;atthesecondsteptheinitiatoryformingtemperatureofsynthesizingβ-SiCpowderdeclinedfrom1526.5to1357.8℃,andthethermalactivationenergydecreasedfrom693.7to295.7J·g-1.WithoutLaadded,thebestsynthesistechnologyforβ-SiCpowderwas1550℃for120min,averagepowderdiameterwasbiggerabout150nm.WithLaadded,thebestsynthesistechnologywas1500℃for120min,averagepowderdiameterwasabout100nm.

简介：

简介：ＦｒａｃｔｕｒｅＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＣ（ｐ）／ＡｌＣｏｍｐｏｓｉｔｅｓＧｕＨｏｎｇｗｅｉ；ＣａｏＬｉ；ＹｕａｎＧｕａｎｓｅｎ；ＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ；ＷｕＺｉｑｉｎａｎｄＣｈｅｎＬａｎｆｅｎｇ（古宏伟），（曹利），（袁冠森），（刘安生...

简介：战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。