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  • 简介:据报道,近日,由湖南有色金属研究院等单位共同完成的《复杂铜铅锌高效选矿分离技术及工业应用》项目通过部级鉴定。该项目研究所取得的重大突破解决了多年困扰选矿界的复杂铜铅锌多金属硫化矿选矿技术难题。专家表示,该项目整体技术处于国际先进水平,其中铜铅分离技术和铜铅选矿指标国际领先。

  • 标签: 铜铅锌硫化矿 矿难 分离技术 选矿技术 多金属硫化矿 国际领先
  • 简介:据报道,近日,新加坡南洋理工大学熊启华教授领导的科研小组首次证明:利用激光可使半导体的温度从室温冷却到-20℃。这一突破性的科研成果有望在电子和光电子器件上直接实现集成全固态、紧凑、无振动、无冷却剂的光学制冷器,相关元件可应用于航天器高灵敏探测器、红外夜视仪和电脑芯片等。

  • 标签: 新加坡 激光 纳米带 硫化镉 光电子器件 降温
  • 简介:世界上只有少数国家有镓矿石产出,镓和铜、铟、硒等元素均应用于太阳能电池和半导体激光器等新处理、新器件,属于稀缺资源。据日本媒体《日刊工业新闻》报道,日本法政大学明石孝也教授的研究组开发出以高浓度从矿石等物质中提取微量金属镓的技术。除矿石外,利用该技术也可以从废旧电子设备等镓含量较少的物质中回收金属镓。

  • 标签: 回收镓 技术 日本 浓度 开发 半导体激光器
  • 简介:中科院上海硅酸盐研究所黄富强研究团队与中科院上海微系统所、北京大学等合作,通过化学剥离成单层二硫化钽纳米片并将纳米片抽滤自组装而重新堆叠成二硫化钽薄膜。重新组装的二硫化钽薄膜打破了原母体的晶体结构,形成了丰富的均质界面,并获得了比母体材料更高的超导转变温度和更大的上临界场。相关研究成果日前发表于《美国化学学会杂志》。

  • 标签: 超导转变温度 钽薄膜 硫化 上海硅酸盐研究所 美国化学学会 高温
  • 简介:本文分析了几种VOCs治理及溶剂回收技术的优劣,黄山永新根据自身现状,最后选择了活性炭吸附浓缩与活性炭回收有机溶剂组合技术,应用到公司大风量、低浓度有机废气(VOCs)的治理及回收。

  • 标签: 回收技术 有机废气 大风量 低浓度 治理 有机溶剂
  • 简介:本文介绍了“活性炭纤维吸附+空气脱附+深冷回收分离工艺”的低浓度、大风量VOCs处理技术,该技术操作简单、效率高,在环保性能、溶剂回收率、回收溶剂纯度、一次性投入、综合运行费用、安全性、可靠性等主要经济技术指标方面均具有显著优势。

  • 标签: 技术操作 VOCS 低浓度 大风量 能耗 经济技术指标
  • 简介:实现锡铁矿的资源化利用,采用高硫煤硫化磁化复合焙烧法对其进行处理。以最大限度脱除锡铁矿中锡为目标,对锡铁矿硫化磁化复合焙烧脱锡的热力学条件进行了系统研究。结果表明,SnS的挥发性能最好,且SnO的硫化趋势相对较大。同步实现锡的挥发脱除和铁的磁化富集,应控制焙烧条件为CO浓度介于0.014%~8.06%、焙烧温度高于793K。高硫煤中含硫物相硫铁矿硫、有机硫等的高温加氢裂解产物为S2、H2S、S02和FeS,其均可将SnO硫化成SnS实现锡的挥发脱除,且以硫铁矿硫分解产物S2的硫化作用居主要地位。该工艺为高硫煤的短流程清洁利用提供了一个新的方向。

  • 标签: 锡铁矿 硫化磁化复合焙烧 高硫煤 脱锡
  • 简介:以三辛基膦为配位溶剂,采用一锅煮的方法制备出分散性较好的硫化镉和碲化镉纳米晶,通过改变反应温度和硫前驱体可制备出不同形貌和结构的硫化镉纳米晶。用此方法也可制备出碲化镉网状纳米晶。测试结果表明,这两种纳米晶都具有较好的晶型。

  • 标签: 半导体 纳米结构 一锅合成 光致发光
  • 简介:由于高浓度涂布复合技术及粘合剂产品仅使用少量的溶剂,所以大大减少了VOCs排放,由于使用溶剂较少,还可以避免溶剂残留超标及其伴随的异味、白点等质量问题,提升复合产品质量。

  • 标签: 复合技术 软包装企业 涂布 浓度 增效 减排
  • 简介:近日,澳大利亚Macquarie大学的金大勇教授领导的先进细胞仪实验室与北京大学工学院生物医学工程系席鹏课题组联合攻关,发现了新的纳米光子学发光机制,并实现了高浓度掺杂的上转换纳米粒子技术,从而展示了迄今最灵敏的纳米荧光材料。相关论文发表于自然出版集团的《自然-纳米技术》。

  • 标签: 高浓度掺杂 纳米粒子 上转换 科学家 生物医学工程 北京大学
  • 简介:通过添加适量的添加剂,采用正交试验方法,研究了高氯化铵质量浓度下在Q235钢基体上低温电镀Ni-P合金的工艺参数。实验得出最佳工艺条件为:NiSO4·6H2O40g/L、NaH2PO2·H2O30g/L、H3BO315g/L、NH4Cl32g/L、添加剂T10.12g/L、添加剂T20.03g/L、添加剂T30.1g/L、施镀温度45℃、电流密度0.015A/cm2、pH=4。最佳工艺条件下所获镀层的EDS分析表明,镀层由靠近基体部位到镀层表面部位,P质量分数变化情况为6.61%→7.18%→8.73%。随着离基体距离的增大,镀层显微结构由晶态向微晶转化,最后为完全非晶态。

  • 标签: 电镀 NI-P合金镀层 正交试验 非晶