简介:摘要脉冲行波管发射机被广泛的应用在通讯、雷达、电子对抗等领域。它具有效率高、频带宽、功率高和小型化的优点。它的高压电源功率变换主电路是由固定频率控制或频率调节控制方式的桥式串联谐振型变换器转换来的。因为高源电压具有升压比高和功率大的特点。为适应复杂探测的需要,要求行波管雷达发射机工作脉冲形式在瞬间进行变化,为了满足脉冲行波管的这种负载特性,描述了一种适用于脉冲行波管雷达发射机的高压电源设计方案。分析移相控制方式串联谐振变换器的工作原理。该变换器在传统的串联谐振变换桥中,增加了4只二极管对回路中谐振电容电压加以箝位,使电路具有良好的脉冲负载适应特性,同时功率开关器件具有较宽的软开关范围,在高频工作状态下,仍然具有高的变换效率。最后给出该电源的实际工作波形。
简介:摘要:在大电流密度真空微纳电子器件的制备中,对于碳纳米管发射阴极阵列的分布均匀性和取向性要求较高。目前,多采用气相化学沉积法(CVD)制备定向碳纳米管阵列来满足此需求。本文利用热CVD法以及电子束光刻技术制备定向碳纳米管阵列,在此基础上设计出了一种具有良好取向的网格状定向碳纳米管阵列结构,同时改进了碳纳米管阵列的场发射特性。
简介:摘要脉冲行波管发射机被广泛的应用在通讯、雷达、电子对抗等领域。它具有效率高、频带宽、功率高和小型化的优点。它的高压电源功率变换主电路是由固定频率控制或频率调节控制方式的桥式串联谐振型变换器转换来的。因为高源电压具有升压比高和功率大的特点。为适应复杂探测的需要,要求行波管雷达发射机工作脉冲形式在瞬间进行变化,为了满足脉冲行波管的这种负载特性,描述了一种适用于脉冲行波管雷达发射机的高压电源设计方案。分析移相控制方式串联谐振变换器的工作原理。该变换器在传统的串联谐振变换桥中,增加了4只二极管对回路中谐振电容电压加以箝位,使电路具有良好的脉冲负载适应特性,同时功率开关器件具有较宽的软开关范围,在高频工作状态下,仍然具有高的变换效率。最后给出该电源的实际工作波形。