简介:与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括:栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。
简介:一个透明的3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)/银/氧化钼复合阳极制备绿色有机发光二极管(OLED)。研究了亮度复合阳极和有机电致发光器件的工作电压的影响。通过优化各层的MPTMS/银/氧化钼结构的厚度,对MPTMS/银的透光率(8nm)/MoO3(30nm)达到75%以上在520nm左右。的薄层电阻为3.78?/□,与此相应的MPTMS/Ag(8nm)/MoO3(30nm)的结构。为优化阳极的有机电致发光器件的电致发光(EL),最大电流效率达到4.5cd/A,最大亮度是37和036cd/m2。此外,通过优化阳极的有机电致发光器件具有非常低的工作电压(2.6V)获得100cd/m2的亮度。我们认为,改进的设备性能主要是由于增强的空穴注入造成的减少孔注入势垒高度。我们的研究结果表明,使用MPTMS-SAMs/银/氧化钼作为复合阳极可以在低工作电压和高亮度OLED的制作一个简单的和有前途的技术。