简介：摘要对轴承钢GCr15在辊道式连续式退火炉球化退火过程中各工艺参数对组织演变规律的影响进行了系统的试验研究。了解工艺参数对辊底式连续退火炉球化退火组织演变规律有哪些影响，以制定一种合理的球化退火工艺，使其球化退火级别达到国标规定的2~4级。

简介：摘要：众所周知，先进的机械设备能够在施工过程中发挥良好功效。因此，在进行机械设备的设计过程中，需要保证设备材料的质量，确保机械的结构与实际的需求相吻合。在进行设计制造的过程中，也要考虑机械设备的整体性、安全性以及环保性。合理设计机械产品，对于机械产业的发展具有重要意义。

简介：没有。但是可以根据德国SEP1520来分级别，该挂图包括了五项七组标准图谱，包括：（1）铁素体含量1．1～1．3级：（2）碳化物大小2．0～2．3级：（3）珠光体含量30～33级（4）网状碳化物4．0～4．3及50～53级；（5）条状碳化物6．0～6．3及7．0～73级。

简介：摘要本实验是参照国内某钢厂热处理中心而设计的大型综合热处理车间，其典型产品材料为W18Cr4V高合金工具钢。该设计主要以W18Cr4V高合金工具钢制作拉刀为例，介绍了其热处理工艺流程和工艺参数，并说明了热处理过程中材料组织、结构及性能的变化。对企业现行高速钢退火工艺进行试验研究，制定了高速钢最佳退火工艺，并在实际生产中进行实施。实际生产验证新退火工艺是可行的，它解决了退火后锻件硬度高于工艺规定的质量问题，提高了产品质量，节约了能源。

简介：通过对冷轧优质碳素结构钢带球化退火工艺优化,减少优质碳素结构钢带的轧程,提高优质碳素结构钢带机械性能,同时对下一步开发优质碳素结构钢带用户打下基,达到增产节能提高经济效益的目的。

简介：为了解决预制棒直径的增加和拉丝速度的提高所带来的光纤内部应力增大的问题,提出利用退火炉改善光纤内部应力的方法,并且从理论上分析了应用退火工艺改善光纤内部应力的原理。通过对比实验,得到退火工艺对光纤衰减、翘曲特性和光纤脆性的影响。在退火工艺条件下,所制得的光纤在1310、1550nm波长的衰减典型值分别为0.317dB/km、0.182dB/km,翘曲度值在14m以上,光纤的剥纤断纤率降低到0.08%。

简介：<正>石墨烯是由碳原子组成的二维片状材料,因物理化学性质独特,已经在许多领域显示出了巨大的应用潜力。但其许多可以预见的应用都需要经过复杂且昂贵的处理才能实现,增加了走向应用的难度。日前,美国麻省理工学院和加州大学伯克利分校的科学家发现了一种简单、廉价的处理方法,有望

简介：介绍了ＳＴＥＩＮ退火窑的工艺过程与电气控制。浮法玻璃退火遵循“快、慢、快”的退火原则，这一原则的实现主要依赖于良好的退火窑结构与合理的电气控制技术。ＳＴＥＩＮ公司的热风工艺退火窑在这一方面做了成功的探索，并运用于生产实践。

简介：摘要：我国科技工作者自 20世纪 60年代初开始进行浮法工艺的探索研究，自 1967年在株洲厂建设中试线并成功拉引出 6ｍｍ浮法玻璃以来，我国浮法玻璃行业已经历了半个世纪的飞速发展。当下市场竞争日趋激烈，“超厚、超薄、超大吨位”日渐成为企业提高生产效益及竞争力的有效手段，越来越多的企业尝试生产厚玻璃或超厚玻璃。随着我国经济社会的发展进步及城市化进程的加快，高等级建筑如雨后春笋般在城市中出现，这为超厚浮法玻璃提供了广阔的市场空间。

简介：Noveltopologyforparallelconnectionofsoft-switchinghigh-powerhigh-frequencyinverters.ElectricalandstructuralcharacterizationoftheinterfaceofwaferbondedInP/Si.ModelingandcontrolforrapidthermalannealinRTP.MINIMISATIONOFPSURFACESEGREGATIONDURINGEPITAXIALSILICONGROWTHFORTHEFABRICATIONOFASILICON-BASEDQUANTUMCOMPUTER.Electricalandstructuralinvestigationofbondedsiliconinterfaces

简介：[篇名]MechanismofthesuppressionofZrsilicideformationinpoly-Si/ZrON/ZrSiON/Sistructure，[篇名]MICROSTRUCTUREANDMECHANICALPROPERTIESOFINTERNALLYOXIDIZEDAg/1.12AT.%Mg，[篇名]Improvingrecrystallizationresistanceinwroughtaluminumalloyswithscandiumaddition，[篇名]Interactionofinterface-trapslocatedatvarioussitesinMOSFETsunderstress，[篇名]ActivationofMgacceptorsinGaN:Mgmonitoredbyelectronparamagneticresonancespectroscopy

简介：

简介：SY508-3-59[篇名]ASelf-Aligned,ElectricallySeparableDouble-GateMOSTransistorTechnologyforDynamicThresholdVoltageApplication，SY508-3-60[篇名]Anomalousphosphorousdiffusion，……

简介：[篇名]OpticalandElectricalGasSensingPropertiesofIn{sub}xO{sub}yN{sub}zFilms，[篇名]InfluenceoftheannealingprocessonpropertiesofCu/BCN/p-Sistructure，[篇名]LASER-ULTRASONICCHARACTERIZATIONOFTHEANNEALINGPROCESSOFLOW-CARBONSTEEL，[篇名]LongLength{110}<110>TexturedAgTapesforBiaxiallyOrientedYBa{sub}2Cu{sub}30{sub}7CoatedConductors，[篇名]Lowtemperaturecrystallizationofgermaniumonplasticbyexternallyappliedcompressivestress，[篇名]Pb-FreeBumpingbyAlloyingElectroplatedMetalStacks

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简介：SY508-3-77[篇名]Anewapproachforhandlingandtransferringofthinsemiconductormaterials，SY508-3-78[篇名]ANEWMETHODOFDETERMINATIONOFOXYGENDIFFUSIVITIESINPOLYCRYSTALLINEFERRITEANDITSVERIFICATIONBYANUCLEARMICROANALYSISMETHOD……