简介：<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功
简介：<正>美商POETTechnologies预言,砷化镓(Galliumarsenide,GaAs)很快就会取代硅,成为高性能晶片的材料选择;而曾任职于贝尔实验室(BellLabs)的该公司共同创办人暨首席科学家GeoffTaylor表示,上述论点自1980年代就已经被提出。Taylor指出,相较于硅,砷化镓能在提升电晶体性能的同时,整合光学电路的功能;这些特质能带来更高的性能以及创新的晶片架构,并因此让摩尔定律
新开发FinFET整合Ⅲ-Ⅴ族与硅材料
三五族半导体将无限延长摩尔定律寿命
