简介:摘要:采用化学浴沉积法在以硫酸锌(ZnSO4·7H2O)和自制的硒代硫酸钠(NaSeSO3)作为Zn2+源和Se2-源的化学溶液体系中制备了ZnSe纳米晶薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和分光光度计等测试方法,研究了不同的Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶薄膜的表面形貌、晶体结构、光学透过率和禁带宽度等物理和光学特性的影响。结果表明,反应液中Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶颗粒尺寸及致密性影响较大,当nZn/nSe=1:4时制备的ZnSe薄膜有较好的致密性和均匀性。不同Zn/Se物质的量比条件下均制备出(111)取向的立方晶型ZnSe纳米晶薄膜,光学禁带宽度为3.05-3.13eV。当nZn/nSe≤1:4时制备的ZnSe薄膜在450-800 nm波段透过率达75%以上。
简介:摘要:针对传统粉末压片工艺的不足和热电池微型化小型化的发展需要,将薄膜制备技术引入热电池正极极片制备工艺。热电池电机薄膜化有利于缩小电池体积,提高比能量。本文综述了热电池正极薄膜组件的制备方法及应用现状,该工艺为热电池自动化、规模化生产提供了可能性。
简介:摘 要:本文拟从反应气体流量、射频电源的功率、产品表面温度和产品与喷头之间的距离四个方面单因素探索每个工艺条件对产品钝化膜层质量所产生的影响,从中得出每个因素单方面最适宜生产产品的工艺参数。然后再通过正交实验,设计 4因素 5水平试样,将各个工艺参数的影响综合进行比较,从中得出最适合生产的工艺参数。在 650V高压 VDMOS功率器件的表面制备 4KÅ氮化硅钝化膜的最佳工艺参数组合为:反应气体流量比例为 38:14,射频功率为 350W,硅片表面的温度为 390℃,硅片与喷头的距离为 340mils。经过试验得出结论,供 VDMOS半导体技术工作者参考。
简介:摘要:依据高阻隔镀铝型BOPP所需的物理力学性能对,组成其结构的三层结构基材进行了选择,并真对工艺上的原料处理和分切进行了研究,希望为相关企业进行BOPP类材料的生产提供帮助。
简介:摘要:高分子材料在常温环境条件下,其外形尺寸基本上保持稳定。但当环境温度变化,如温度上升到一定程度后,就可能发生不同程度的尺寸收缩变形。高分子材料遇热收缩的性能,与金属材料遇热膨胀的性能恰好相反,利用这一特点,可将塑料薄膜加工成热收缩产品,应用于各种包装领域。本文考察了热收缩温度及生产线速度对热收缩薄膜包装加工适性的影响。结果表明,收缩温度与输送速度之间有着密切的关系,生产率高,温度控制也高,行走输送速度也快,生产率低,则反之。所以两者调试控制必须协调。
简介:摘要:文章探讨了半导体薄膜材料在微电子技术领域的应用。半导体薄膜材料在微电子行业具有重要地位,对于提高电子器件性能和功能具有关键作用。文章介绍了半导体薄膜材料的特性以及它们在微电子领域的广泛应用。通过深入研究和案例分析,探讨了这些材料在半导体制备和器件制造中的重要性。
简介:摘要:在光学薄膜加热的过程中,通过“交替隐形算法”进行计算分析。并通过求解得到最终的数值。与此同时,给出了一些计算实例。