学科分类
/ 1
6 个结果
  • 简介:Adoublephotodiode(PD)constructedbyp?/NwelljunctionandN-well/p-subjunctionwasdesignedandfabricatedinaUMC0.18-lmCMOSprocess.BasedonthedevicestructureandmechanismofdoublePD,anovelsmall-signalequivalentcircuitmodelconsideringthecarriertransiteffectandtheparasiticRCtimeconstantwaspresented.Bythismodelwithcompleteelectroniccomponents,thedoublePDcanbeincorporatedinacommercialcircuitsimulator.ThecomponentvalueswereextractedbyfittingthemeasuredS-parametersusingsimulatedannealingalgorithm,andagoodagreementbetweenthemeasurementandthesimulationresultswasachieved.

  • 标签: PHOTODIODE Device simulation EQUIVALENT circuit model
  • 简介:宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

  • 标签: 单粒子闩锁 TCAD 加固 重离子试验 外延工艺
  • 简介:A0.18lmCMOSlownoiseamplifier(LNA)byutilizingnoise-cancelingtechniquewasdesignedandimplementedinthispaper.Current-reuseandself-biastechniqueswereusedinthefirststagetoachieveinputmatchingandreducepowerconsumption.ThecoresizeoftheproposedCMOSLNAcircuitwithoutinductorwasonly128lm9226lm.ThemeasuredpowergainandnoisefigureoftheproposedLNAwere20.6and1.9dB,respectively.The3-dBbandwidthcoversfrequencyfrom0.1to1.2GHz.Whenthechipwasoperatedatasupplyvoltageof1.8V,itconsumed25.69mW.ThehighperformanceoftheproposedLNAmakesitsuitableformultistandardlow-costreceiverfront-endswithintheabovefrequencyrange.

  • 标签: CMOS Low noise AMPLIFIER (LNA) MULTIBAND
  • 简介:CMOS电荷泵锁相环的应用越来越广泛,这也加强了人们该内容的研究与分析。过去,受各方面技术原因的限制,CMOS电荷泵锁相环在具体应用过程中的能量消耗较大,这对其应用造成了一定的不良影响,而近几年随着各项技术的逐渐成熟,人们加强了对低功耗射频CMOS电荷泵锁相环设计的研究,从而满足低功耗、快速锁定要求。目前,人们在该项内容的研究上已经取得了一定的成绩,但是与期望的标准还存在一定差距。文章研究了一种低功耗射频CMOS电荷泵锁相环的设计。

  • 标签: CMOS 电荷泵 锁相环
  • 简介:对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.

  • 标签: CMOS图像传感器 高能粒子 饱和输出电压 电离总剂量效应
  • 简介:锐迪科微电子(以下简称“RDA”)近日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片,并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。自2007年7月份推出第一款GSM射频功率放大器芯片(以下简称“PA”)以来,RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能,获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份,实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验,RDA的GSMPA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中,RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。

  • 标签: 射频功率放大器 CMOS工艺 GSM 产品 硅基 RDA