简介：Theapplicabilityandlimitationofseveralquadraticstrengththeorieswereinvestigatedwithrespectto2D-C/SiCand2.5D-C/SiCcomposites.Akindofdamage-basedfailurecriterion,referredtoasD-criterion,isproposedfornonlinearceramiccomposites.Meanwhile,thenewlydevelopedcriterionispreliminarilyvalidatedundertension-shearcombinedloadings.ThepredictionshowsthatthefailureenvelopegivenbyD-criterionislowerthanthatfromTsai–HillandHoffmancriteria.Thisrevealsthatthedamage-basedcriterionisreasonableforevaluationofdamage-dominatedfailurestrength.

简介：Ti3SiC2是一种具有优良性能的可加工陶瓷材料，具有金属和陶瓷特性，导电、导热性能良好，可加工，耐氧化、耐化学腐蚀，具有抗热震性、高温稳定性和高温塑性以及良好的自润滑性等。本文综合评述了Ti3SiC2的结构、性能、制备方法及应用前景。

简介：采用粉末冶金方法制备不同SiC含量的SiC/Fe-3Cu-C-2Ni-1.5Cr-0.5Mo复合材料，采用硬度计、扫描电镜、电子万能试验机、万能摩擦磨损试验机对材料进行测试，研究SiC含量对铁基合金密度、组织结构、力学性能和干摩擦磨损性能的影响规律，并探讨其摩擦磨损机理。结果表明：当SiC的加入量为0.5%～2%（质量分数）时，复合材料的密度和强度均降低，但硬度和耐磨性能显著提高；当SiC加入量达到5%时，复合材料的密度、强度、硬度及耐磨性能均大幅降低。SiC含量为1.5%的复合材料耐磨性能最佳并能保持良好的力学性能，有望在气门导管、传动小齿轮等机械零部件上得到运用。复合材料的磨损机理为粘着磨损和磨粒磨损。

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简介：Altera公司与Intel公司共同宣布，采用Intel世界领先的封装和装配技术以及Ahera前沿的可编程逻辑技术，双方合作开发多管芯器件。在此次合作中，Intel使用14nm三栅极工艺制造Altera的Stratix10FPGA和SoC，进一步加强了Altera与Intel的代工线关系。

简介：摘要院电力有源滤波器能够解决电力系统中非线性负载引起的谐波污染问题。阐述了有源滤波器的基本原理，建立了Matlab/Simulink仿真模型并且进行了详细的仿真分析。仿真实验结果表明，有源滤波器具备很好的补偿特性。

简介：介绍了军用元器件采购管理的要求,重点讨论了进口元器件和国产元器件采购管理的原则和控制措施。供装备承制单位质量管理工作者和军事代表参考。

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简介：克利夫兰的SIFCO工业公司停止了它的涡轮器件服务和修复业务，包括关闭它在明尼阿波利斯的工厂。修复业务据称战略上不符合公司核心打造业务。SIFCO生产的产品主要用在航空和能源工业，并提供多种金属加工服务包括锻造，热处理，涂层和机加工。

简介：石墨和ZrB2–SiC的氧化行为修改了石墨合成在1×105Pa空气和0.2×105PaO2。氧化测试在一个感应的加热炉子被进行。这二材料的氧化跟随了线性率法律。在2100°C的石墨和C–ZrB2–SiC的坚定的半径损失率在1×105−2和1.05×10−2%/s>Pa空气，和3.23×10−2和2.21×10在0.2×105−2%/s>PaO2,分别地。ZrB2并且原文如此的加入显著地减少了石墨的氧化率因为在氧化期间在样品表面上形成的氧化物规模在减少暴露的表面区域帮助在下面底层。在有一样的氧的二不同气氛部分压力，石墨和C–ZrB2–SiC在0.2×105PaO2比在1×105Pa空气。氧化为石墨和C–ZrB2–SiC的控制率的步被建议分别地是通过边界层并且通过在氧化物规模的毛孔的氧的里面的散开。一个模型基于散开理论被建立在他们的氧化行为上讨论全部的煤气的压力的效果。

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简介：CCTV升级高画质需求的爆发，引发了组件端一连串的技术革命。各种传输方案有哪些最新突破，以及未来产品差异化走向何方？

简介：摘要电子元器件是组成电子产品必不可少的基本元素，任何电子元器件的故障都会使电子设备产生故障，进而无法正常运作。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其QUADHIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad2525外形尺寸的器件。QUADHIFREQ2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的,具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000,1pF),低至0.018Ω的超低ESR,直流电压高达3600V。该VishayVitramon器件基于极为稳定的陶瓷电介质,具有很高的串联谐

简介：针对高职微电子技术专业开设的《半导体器件物理》课程出现的教学内容与实际工作衔接不上、课程教法陈旧、学生接受程度差等问题,本文通过分析高职微电子专业学生就业岗位的典型工作过程,提出适合高职的《半导体器件物理》教学内容,探索实施“实验向导”方式的教学活动,采用四维形成性考核方案,取得了一定的效果.

简介：MicrochipTechnologyInc．（美国微芯科技公司）推出一款新型带电源模块的三相BLDC电机栅极驱动器MCP8024。该器件能够为dsPIC数字信号控制器（DSC）和PIC单片机（MCU）供电，同时驱动六个N沟道MOS—FET。

简介：Siliconcarbidefiber/siliconcarbidematrix(SiCf/SiC)compositesareofinterestasafuelcladdingandstructuralmaterialindesignsofadvancednuclearreactorduetotheirsuperiorthermo-mechanicalpropertiesandstabilitiesandlowcross-sectionforneutroncaptureunderthesevereserviceenvironmentincludinghightemperatureandhighenergyneutronbombardment.SiCf/SiCcompositionsconsistsofSiCfiberandSiCmatrixwhichexistinwellover100polymorphsdependentonthevariedstackingofSi-Cclose-packedatomicplanes,2H-SiC,4H-SiC,6H-SiC,3C-SiC,15R-SiC,etc.EnergeticHeatomscanbecreatedandaccumulatedvianuclearreactions.HeatomsagglomerateandcoarsenintoHebubblesandcandeterioratestructuralpropertiesbyinducingcrackandcreep.Inthisexperiment,thedamageofn-type4H-SiCwafers(researchstandard,suppliedbytheCreeResearchInc.)withathicknessof0.38mmimplantedwith100keVHe+toafluenceof31016He+/cm2andpost-implantation-annealedbehavioratdifferenttemperaturewerestudiedusingRamanscatteringspectroscopy.

简介：互联网时代的深入发展,如何第一个将设计推向市场成为所有中国企业面临的重大挑战.在这样的环境下,中国设计领域的价值链不断朝着高端方向发展.这直接导致了很多中国工程师对于能够提供强大的免费在线技术工具和资源平台的需求不断增加.RS是全球知名的电子元器件分销商,却在这方面做了大量科研与投入,先后推出了DesignSparkPCB、免费的3D设计软件DesignSparkMechanical以及移动App应用RSToolbox,在市场上掀起了一股不小的EDA免费热潮.然而,这毕竟不是RS的主营业务,他们在核心业务上究竟有哪些打算呢?2014年来临前夕,RS中国区销售经理郑梁先生对本刊记者畅谈了他们的详细计划.

简介：基于内外气体交换的分子流模型，采用了以τHemin为基本判据和定量确定最长候检时间的方法，提出了以内部气体质谱分析检测元器件密封性的方法及其氦气含量法和氩气含量法，给出了这种方法的判据公式、压氦或压氩压力时间和最长候检时间公式或确定方法，规定了检测判定程序。内部气体质谱分析，需要时辅以粗漏检测，能够进行具有更高灵敏度和准确性的、破坏性的密封性检测，可用于鉴定检验、周期检验和认证性检测。

简介：针对目前TD-LTE产业的迅速发展，市场需求日益增大，对所用的10GbpsSFP＋光收发合一模块在技术和成本上也提出了更高的要求。介绍了一款应用于10GbpsTD-LTE的光接收器件的设计，并对封装后的器件进行了测试及分析。该接收器件整体光电性能良好，同时具备低成本和低功耗的优势。