简介：用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波方法和模拟缺陷结构的超原胞的方法，通过计算比较ZnO、Zn15Y1O16Zn16O15、Zn15O16和Zn14Y1O16五个体系的自旋极化电子态密度，分析了O空位和Zn空位两种点缺陷对Y掺杂ZnO薄膜磁性的贡献，计算结果表明，氧化锌和钇掺杂氧化锌薄膜的磁性都来源于Zn空位周围被极化的O原子。

简介：本文首次报道了ZnO薄膜发光的激发谱，此薄膜的发射谱主要有绿带和紫外带，峰值波长分别为520和390nm，通过改变生长条件可以获得单一的紫外发射带或绿带。其本征激发带出乎常规的处于真空紫外区，而不在能隙附近的近紫外区，其峰值为197nm左右。作者对此特殊现象进行了初步分析与讨论。

简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶，用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜，XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构；SEM与AFM表明，纳米晶薄膜在300％退火后薄膜的厚度明显减小到130nm，表面粗糙度降低到3．27nm，粒径明显增大；紫外-可见吸收和透射比光谱表明，随着退火温度的增加，吸收边发生了红移，吸收肩更明显，薄膜具有高的透射率（75—85％）；薄膜方阻随温度增加而增大，300℃以下退火方阻增加很小（小于8．5Ω／sq），400℃以上退火方阻大幅增加（大于21．1Ω／sq），因此，ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。

简介：摘要本文介绍了宽禁带半导体导电薄膜材料ZnO的相关性质，对ZnO与ITO在LED芯片制作中的应用中光电参数进行对比分析，探讨了ZnO作为替代ITO的可行性，结果表明，ZnO材料作为导电薄膜具有穿透率高，与金属粘附力好等优势，但也存在方块电阻偏高等需解决的问题。

简介：摘要采用X射线衍射分析(XRD)测试分析了多晶ZnO薄膜的晶格结构和力学性能。薄膜的制备采用了射频(RF)磁控溅射方法,并分别在不同温度下进行了退火处理。XRD分析显示随着退火温度的上升,薄膜的晶粒尺寸逐步增大,且C轴取向显著增强。测试结果表明适当的退火处理对ZnO薄膜的结晶品质有明显的改善。

简介：采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法生长了纯ZnO及Co单掺ZnO薄膜.利用金相显微镜观察了Zn1-xCoxO薄膜的表面形貌;同时利用X射线衍射仪（XRD）研究了掺杂浓度对其微结构的影响.结果指出,所制备的纯氧化锌及掺杂氧化锌薄膜样品均具有较好的c轴择优取向生长;实验中,我们在室温条件下进行了光致发光的测量.ZnO薄膜中掺入Co元素会改变薄膜的微结构,导致锌填隙缺陷和氧位错缺陷浓度发生变化,进而影响薄膜的禁带宽度和发光特性.现对最近几年Co掺杂ZnO薄膜的结构和光学性质进行阐述,并对今后的发展方向进行了展望.

简介：摘要采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同衬底温度下制备薄膜的相结构和表面形貌进行分析.结果表明,在衬底温度为500℃时制备的ZnO薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,结构致密,且沿c轴择优生长。

简介：研究了退火气氛对ZnO：N（氮掺杂的氧化锌）薄膜的光电性质影响。结果发现，n型电导原位生长的ZnO：N薄膜样品，经过600℃O2气氛下退火后，样品A表现为P型电导特征；而经过600。CNz气氛下退火后，样品B仍然表现为n型电导特征。低温光致发光光谱（PL）测试表明，样品A和样品B的发光光谱最大的差别为样品A的低温发光光谱中具有与受主相关的发光峰，峰位位于3．348eV；样品B的低温发光光谱中具有与施主相关的发光峰，峰位位于3．358eV。

简介：采用溶肢-凝肢法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火（10-2Pa）、低真空退火（1Pa）和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明：四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5at.%时SZO薄膜的结晶生长最好.高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10^-2Ω·cm.当Sn掺杂浓度小于3at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低.

简介：用溶胶凝胶法制备了ZnO—SnO2交替薄膜，具有工艺设备简单、后处理温度低、对衬底要求比较宽、易于定量掺杂等特点，通过X光电子能谱、紫外-可见吸收光谱和扫描电子显微镜对样品的组成及形貌等进行了分析与表征，测量发现，随着温度的升高薄膜的电阻变小，导电性变好？

简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：摘要：为有效改善无机氧化物类高阻隔包装材料柔韧性较差问题，确保材料在使用过程中不会出现脆裂状况，技术人员加大了对柔性ZnO/PI/PET复合薄膜生产工艺以及阻隔性能强化方式的研究力度，期望通过对制备工艺进行不断完善的方式，确保所生产复合薄膜能够更加符合使用需要，进而更好的完成包装任务。文章将通过对柔性ZnO/PI/PET复合薄膜基本情况的介绍，以实验研究方式对制备工艺和阻隔性能进行深度解析，期望能够为复合薄膜生产与改进提供相应支持。

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：N-ZnO/p-Si异质接面被内在的ZnO电影的劈啪作响的免职在希腊语的第二十三个字母底层上准备。ZnO电影的厚度被从1h改变免职时间到3h改变。这些结构的电的性质从电容电压(C-V)被分析并且当前电压(I-V)特征表现在一个黑暗房间里。结果证明所有样品显示出强壮的修正行为。为有ZnO电影的不同厚度的样品的光电的性质被测量开的电路电压和短路电流调查。相片电压被坚守，这被发现当光电流变化时，与厚度一起的320mV几乎不变很多。ZnO电影的厚度的功能被调查的光电的效果的变化机制。

简介：国风塑业股份有限公司公司地址：合肥国家高新技术产业开发区天智路36号邮政编码：230088公司电话：0551—5329009

简介：

简介：在缺点上的ZnO电影的掺杂物的影响被慢正电子歼灭技术调查。参数遇见的结果表演SS艾尔>Sun>S为做Al的ZnO电影，undoped和做Ag的ZnO的Ag拍摄。锌空缺与不同掺杂物在所有ZnO电影被发现。根据S参数和一样的缺点类型，锌空缺集中在做Al的ZnO电影是最高的，这能被导致，并且它是在做Ag的ZnO电影的最少。当艾尔原子在在硅底层上种的ZnO电影被做时，Zn空缺作为与undoped和做Ag的ZnO电影相比增加。当锌空缺的缺点形成精力强烈取决于费密水平的位置时，掺杂物集中能在材料决定费密水平的位置，因此它的集中与掺杂物元素和掺杂物集中变化。

简介：

简介：摘要：本文对水热法制备ZnO及掺杂型ZnO纳米材料的研究进行综述汇总，有望为水热法在纳米材料中的应用与研究提供参考与借鉴。