简介:以平面环形微腔结构为核心器件,基于量子力学的隧道效应和“参量振荡不稳定”效应,结合理论计算及ANSYS和Beamprop仿真,设计出基于环形微腔结构的超高灵敏度位移传感器,特别是在1.55μm的谐振波下,对所设计的位移传感器进行了ANSYS力学仿真、Beamprop传输特性仿真以及输出特性数值模拟,论证了位移传感器的可行性,并为以后的实验奠定了基础。
简介:国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”,9月28日在北京通过了科技部与北京市组织的项目验收。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售,标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破,在该领域自主创新和产业化上又迈出了可喜的一步。
基于平面环形微腔结构的超高灵敏度位移传感器的研究
“一百纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”项目验收