简介：我们所观察的宇宙由于物质质量大，往往只注意物质的粒子性，但其实质也是波动的，特别是早期宇宙的波动性对现在的影响是不可忽视的。根据热力学第二定律“能量在不受干扰的空间，能量只能从较为规则的形式变为较为杂乱无序的形式”和爱因斯坦相对论“质能关系”原理赋予宇宙非均匀性、各向异性。

简介：江苏宿迁市市委书记张新实在“网上宿迁”公众论坛发出（《关于宿迁人的行为举止细节问题》的帖子：“我们有些干部与别人接触时，不注意礼节，常常旁若无人地大声说话，比如大声接听手机，惟恐别人听不到。还有一些本来不值一提的细小事，比如有人在办公楼宇、公共场所如厕后不及时冲水，造成臭味飘散、污染空气……”这一帖子一时成为该市的热点话题，跟帖数不断攀升。

简介：0背景近期我司收到一起客户投诉的无铅喷锡工艺的LED拼接屏板,上锡不良,其不良现象表现为SMT贴片的灯脚与焊盘焊接不良,即客户投诉SMT后锡膏全聚集在元器件引脚上,焊盘上不熔锡。经了解,PCB使用的是无铅锡,而客户端SMT工艺使用的是有铅焊料,并使用的是225℃有铅锡工艺温度进行SMT,为进一步研究无铅热风整平锡PCB和有铅锡膏的可焊性,笔者针对该不良现象,进行深入的研究和分析。

简介：手机除射频电路、逻辑电路以外的故障，统称为界面故障，如SIM卡故障、送受话故障、振铃、振动故障、显示背景灯和键盘灯故障、按键故障、显示故障等。接下来我们就看一看怎样去判断手机界面故障的部位。

简介：摘要：射频同轴连接器作为电子系统中的关键基础元件，一旦失效将会造成电子系统的故障，极大程度上降低了整机系统的可靠性。如果能准确定位连接器的失效现象及失效机理，就能在射频同轴连接器的研制、生产过程中，预防失效现象再次发生或者失效现象的重复出现，就会极大的提高射频同轴连接器的可靠性。本文通过对我单位射频连接器在研制及用户使用过程中出现的失效现象进行分析，使产品技术人员能够掌握基本的射频同轴连接器失效分析方法，提高射频同轴连接器产品的可靠性及技术水平。

简介：摘要随着时代发展的不断推进，人们对于教育文化的不断重视，学校教育教学质量不断提高。也对于高中教学管理工作提出了更高的要求。对于高中学校来说，教学管理工作的开展不仅要随着教学改革不断革新，还要贴合学生个体身心发展不断完善,需要在教学管理工作的实践过程中不断探索和完善，才能有效提高学校教学管理的效能。本文将对于当前高中教学管理工作现状进行分析，以更加符合时代发展特色的角度探索学校教学管理的思考及改革,为高中教学管理工作提供参考。

简介：

简介：文章在对L职业大学近两年退学情况进行调查的基础上,辅之深度访谈与参与式观察相结合的质性研究方法,透析了大学生主动退学的深层次原因,提出“以生为本”的教育管理理念及柔性干预策略。

简介：高校图书馆中书刊丢失损毁等不文明现象时有发生，维护图书馆书刊资料的完好不受损失，是广大图书馆工作人员与读者共同的义务与责任。本文提出可通过对入学新生进行网络宣传，积极开发电子期刊、电子图书数据库，利用实时监测的技术手段等方法有效遏制图书恶意丢失和损毁等不文明现象。

简介：通过实际分析表明．100kVA容量UPS出现的“55kW现象”，在部分产品中确实出现过，它是由两个原因造成的：①是由于某些厂家受市场竞争因素的驱使，用80kw取代100kVA计算选择UPS逆变开关管．把UPS容量减小了20％：②是与UPS的电路结构有关，在UPS的输出端加入了感性无功负载补偿电容Cc，此电容在负载功率因数PF＝1时，由补偿电容变成负载电容，增大了UPS的负载电流．使UPS的输出有功功率降低到53kW.这种现象只是在部分产品中出现的，它不是所有100kVAUPS都具有的现象

简介：HammerRed：有朋友反映我的程序在雷霆N2机上运行十几秒后就出现“没有权利”的提示。将卡拔出再插入后又可以收看一会儿，但在普通430机上没有此现象。

简介：<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：<正>罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：本文针对瑞典ABB公司所产HPL55082型500kVSF6断路器，分析了引起断路器分、合闸同期性超标的主要原因，结合现场试验，找到解决导致试验数据超标问题的关键点，为今后同类型断路器调试工作提供指导。

简介：随着更加精细的SMT、BGA等表面贴装技术的运用,化学沉镍金(ENIG)作为线路板最终表面处理得到了越来越广泛的应用,同时可怕的"黑盘"现象也随之更广泛地"流行"起来,直接导致贴装后元器件焊接点不规则接触不良.为了贯彻执行最好的流程控制和采取有效的预防措施,了解这种焊接失败的产生机理是非常重要的,及早的观测到可能发生"黑盘"现象的迹象变得同样关键.本文介绍了一种简单的预先探测ENIG镍层"黑盘"现象的测试方法一镍层耐硝酸腐蚀性测试,这种测试可以用于作为一种常规的测试方法监测一般化学沉镍溶液在有效使用寿命范围内新鲜沉积的镍层的质量.利用Weibull概率统计分析在不同的金属置换周期(MTO)下镍层的可靠性能表现.结合试验结果得出了一个镍层耐硝酸腐蚀性的判定标准.

简介：况忠，男，中共党员，1968年12月出生，1987年参加工作，1995年任中国电信重庆市石柱分公司网络部主任，2003年任副总经理。

简介：周从阳，男，2008年进入中国联通重庆北部新区分公司，成为一名维护人员，他始终把“客户满意就是对我最大的认可”这一座右铭作为追求目标。在平凡的岗位上，从事平凡的工作，但从他平凡的封面却能感受出他不平凡的一面。