简介：1.IntroductionSofarthemicrostructureandcoercivityofSm（Co,Cu,Fe,Zr）7.4alloyhavebeenstudiedindetailbyvariousauthors.TheeffectofZr-richlaminarphasestructureonthehighcoecivityofalloyismoreattractive.Thechangesofmagnetic

简介：StudiesontheZnO/La0.5Pr0.2Sr0.3MnO3(LPSMO)/SrNb0.002Ti0.998O3(SNTO)heterostructurehavingvaryingthicknessofp-typeLPSMO(100nm—LP1)and(200nm—LP2)manganitearecarriedout.ZnO/LPSMO(n—p)andLPSMO/SNTO(p—n)junctionsofboththeheterostructuresexhibitgoodrectifyingbehaviorinawiderangeoftemperatureandappliedfield.Forwardandreversebiascharacteristicsofboththejunctionsofheterostructuresshowoppositebehavior.Theobservationofnegativemagnetoresistance(MR)at5KandpositiveMRat300K,inboththeheterostructures,hasbeenexplainedinthecontextofinterfaceregioneffectsandfillingofenergybandsofLPSMOmanganite.Further,athightemperature,theheterostructuresexhibitlargetemperature(46%K-1)andfield(40%T-1)sensitivities.Dependenceoftransport,magnetotransport,I—Vandsensingpropertiesoftheheterostructures,onthetemperature,fieldandfilmthicknesseshavebeendiscussedinthiscommunication.

简介：

简介：英特尔公司日前宣布32nm芯片近日开始大批量生产，这一声明标忐着32nm技术芯片进入成熟实用阶段，英特尔也借此稳固其在半导体行业中的地位。

简介：

简介：美国加州公用事业委员会（CaliforniaPublicUtiIitiesCommission）日前批准了加州太阳能计划（TheCaliforniaSolarInitiative），它可能使加州成为全球最大的太阳能生产地。

简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

简介：这研究调查低温实验法的张力的性质和小说的破裂行为搅动焊接并且32Mn-7Cr-1Mo-0.3N钢的焊接以后的对待热的关节。低温实验法的易碎的骨折，发生在同样焊接的关节，与在联合乐队结构包含钨的剩余粒子有关。韧化的焊接以后的水导致了关节的低温实验法的intergranular易碎物，它在韧化的焊接以后的水期间与溶质原子的非平衡分离有关。在550点退火吗？？