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  • 简介:提出了一种基于扰动信号、且可线性化的非线性系统设计方案,该方案旨在改善带高频逆变器负载的极管整流电路的功率因数。文中从原理及实验两方面对该方案进行了详细分析,并给出了实际的电路设计方法。

  • 标签: 抖动 死区 功率因数 倍压
  • 简介:4、通用电气123.5亿欧元收购阿尔斯通部分电力业务11月5日,法国政府正式批准美国通用电气公司以123.5亿欧元(约合154.38亿美元)收购法国阿尔斯通集团大部分电力业务。法国经济部当天发布新闻公报说,法国经济、工业和数字经济部长马克龙同意通用电气阿尔斯通的投资计划,两大集团在电力方面联合发展的计划予以批准。收购完成后,新的阿尔斯通集团将拥有充分资源,有望在交通领域成长为法国和欧洲的领头羊。

  • 标签: 阿尔斯通 电力业务 自动化行业 发布新闻 并购案例 凌华科技
  • 简介:高速列车牵引传动系统的基本组成及主要部件技术参数进行了深入分析,简要概括了高速列车牵引传动系统的控制策略,归纳总结了高速列车牵引传动系统新技术发展的趋势,结合我国高速列车牵引传动系统技术的现状,提出了今后我国高速列车牵引传动系统技术发展的建议。

  • 标签: 高速列车 牵引传动系统 变流器 牵引电机 矢量控制
  • 简介:跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势,已经研制出有相同工作结温的续流极管和整流极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第代产品)中,导致了较高的电流密度,在过载和动态负载条件下有十分可观的余量,而且也改善了功率循环能力。

  • 标签: IGBT 续流二极管 整流二极管 600V整流-逆变-制动斩波模块 工作温度
  • 简介:电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座.以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。

  • 标签: 电力电子器件 绝缘栅双极型晶体管 知识讲座 半导体功率器件 电力电子设备 器件设计
  • 简介:通过1973年3月广州会议和1974年4月常州会议,国内晶闸管(可控硅)的质量、标准、可靠性等进行了整顿,晶闸管装置组织全国产学研力量进行系列化的统一设计,提高了正确使用晶闸管的规范化水平。戴了七、八年"可怕硅"帽子的变流行业,出现了一片新气象。当时,大型轧钢设备、铁路电气化牵引、四川天然气东输工程(后来该项没有成功)等关系国民经济基础的重大工程项目正在酝酿,亟待高性能、高指标晶闸管走上可靠运行的产业化之路。这时机械部首次把变流行业(后来发展成电力电子行业)作为电工行业的一个独立小行业列入单独的行业规划序列。这样,1974年8月在西安丈八沟招待所举行了本行业的首次规划会议。

  • 标签: 事琐 会议事 会议追记
  • 简介:开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基极管,

  • 标签: 二极管提高 交换器性能 升压型
  • 简介:大约28年前,在"1700轧机"攻关中,有6个晶闸管制造单位承担了制造500A/2000V~2500V风冷晶闸管的课题。根据整机应用的需要,di/dt(电流上升率)达到50A/μs是一项必考指标。此前,虽然在颁布的产品标准中规定了di/dt耐量的测试线路和测试方法,但对此大功率晶闸管适用的测试设备尚未制造出来,该测试设备的研制及其di/dt的测试实践在国内都是首次尝试。

  • 标签: 上升率测试 测试纠纷 电流上升率
  • 简介:发展单片集成MOSFET和肖特基级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29%的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片FET做同步整流,其电路效率提高1.1%。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

  • 标签: 集成肖特基二极管 MOSFET DC-DC转换器 性能
  • 简介:实验评估了600V,4A碳化硅(SiC)肖特基极管(英飞凌,SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用,作者考虑选用一种300W,按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基极管和采用两种超快、软恢复的硅功率极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果,特别是定量地考察了SiC极管提供的恢复电流的减小该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果,本文表明在功率因数校正器设计中,采用SiC极管只是在高开关频率时才是合算的。

  • 标签: SiC肖特基功率二极管 Boost功率因数校正器 性能评估 电磁干扰 半导体材料
  • 简介:本文介绍IGBT和快开关极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

  • 标签: 沟槽-电场截止型IGBT 快速开关二极管 扩展安全工作区 加固耐用性
  • 简介:还有什么问题?小孙瞧了瞧他的单子,说:"第四个问题,厂里有一台带式输送机,从0Hz开始启动时,完全启动不起来,大约到10Hz时才突然动起来了,因为加速度太大,传输带上的半成品,常常晃动,有没有办法解决?"

  • 标签: 变频调速系统 保护功能 课堂 减速 带式输送机 加速度
  • 简介:新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体极管坚固度的相关因素。这干叶,具有快恢复体极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

  • 标签: 体二极管 器件综合 应用 硬开关 功率MOSFET CFD技术
  • 简介:1引言变频器中过流保护的对象主要指带有突变性质的、电流的峰值超过了过流检测值(约额定电流的200%,不同变频器的保护值不一样),变频器则显示OC(OverCurrent)表示过流,由于逆变器件的过载能力较差,所以变频器的过流保护是至关重要的一环。

  • 标签: 通用变频器 过流保护 故障类型 案例分析 额定电流 过载能力
  • 简介:本文从企业利益相关方出发分析了电网企业价值的构成,并通过智能电网信息系统特点和电网企业业务的分析,概括出智能电网电网企业经济价值和社会价值的提升。

  • 标签: 智能电网 电网企业价值
  • 简介:本文给出了基于基本物理概念的风轮机控制的概述。首次提出了基于物理过程反演设计控制规律的方法并将其应用到风轮机控制概念中。本文还给出了一些不同算法的仿真结果及在电能质量方面的比较。

  • 标签: 风轮机控制策略 电能质量 影响 控制策略 风轮机 物理概念
  • 简介:无铅焊接技术在经过了长时间的宣传和推广之后,已经逐渐进入了实际应用的阶段。作为一项划时代的新技术,其牵涉的面非常广泛。材料、设备、工艺、PCB、元器件、装配等等。但业界主要的精力,似乎集中在无铅材料的组合、PCB的工艺、贴片精度的控制等等方面。而在装配领域,特别是模板设计领域,却甚少涉及。许多无铅焊料的制造商几乎都指出与有铅焊料相比,没有太大的变动。果真如此吗?本文以模板制造商的角度,仅就无铅浸润性较有铅焊料较差这一特性,分析无铅焊料模板制造商的新挑战!

  • 标签: 无铅焊接技术 模板设计 制造商 SMT 无铅焊料 设计领域