简介：电力电子技术在汽车工业领域充当着越来越重要的角色。当氢动力燃料电池汽车仍然处于研究和开发阶段时，混合电动汽车技术已经成为汽车市场上的主流技术。汽车未来的设计方向正在改变，其最明显的迹象之一能够从北美洲和欧洲市场上为驾车者提供的日益增多的新型混合电力汽车展示模型上看出来。这种趋势也可能混淆功率模块和电机驱动器之间的界限。

简介：粘合是一种利用特殊设计的热环氧树脂来实现接合的技术，铜焊接则是一种利用高温实现纯金属接合的技术，本文首先对二者的性能及特点作简单介绍，在此基础上，从热、机械、电子三个方面对这两种技术在风冷应用中的优点和不足进行了探讨。然后，同样是从热、机械、电子三个方面，对铜焊接技术在液冷应用中的优势进行了分析，并给出了应用实例。

简介：ISOPLUSi4^TM系列功率半导体器件具有非常适合应用于开关模式功率电源（SMPS）的特征：器件的集成度高，在应用于高开关频率时工作性能可进行优化，一个集成的隔离有助于降低装配工作的难度，如果要求应用于高压场合可通过加大爬电距离和穿透深度来完美地实现。本文对这类元件使用的技术进行深入的介绍，并针对SMPS上的应用来论述它们的特性。

简介：本文提出了一种基于功率测量和非线性定子磁场定向的异步电机无速度传感器控制策略，利用功率测量可以方便地进行状态变量的计算。本文将该策略应用到非线性反馈的非线性定子磁场定向控制系统中。这种控制方法不需要进行变量的坐标变换，从而使得整个控制系统实现更简单、执行速度更快。仿真和试验结果验证了该策略的有效性。

简介：本文论述了高压大功率风机应用变频调速器在生产工艺、节能等方面的显著效果。

简介：PulseEngineering公司推出的屏蔽和非屏蔽表面贴装鼓形磁芯功率电感器，具有96种不同的型号。该电感值范围从1μH至数百μH，低电流下，具有不同的尺寸可满足广泛的DC／DC转换器和滤波应用。

简介：IRC公司推出散热性能更佳的圆柱形功率电阻，适用于高热环境和热绝缘应用。这款SMC系列圆柱形金属釉功率电阻，于1，000℃下在固态陶瓷基底上烧制了金属釉厚膜，并具有一个防潮的高温绝缘层。该产品采用了金属“帽”，因而与平面片式元件相比具有良好的散热性能和抗浪涌／冲击能力，同时还有助于降低成本。

简介：大功率交流电机变频调速是大型机械传动的关键设备，也是当前节能减排的重点推广技术。本文介绍了我国在大功率交交变频调速技术的研究和国产化装备的研制工程中，丰富并完善了大功率交流调速理论，形成了自主创新的核心技术，解决了大功率交流调速装备的多项关键技术，推动国产交流调速装备步入国际先进行列，立足工程，取得显著的经济效益和社会效益。文章还介绍了我国第一套7．5MW三电平IGCT交直交变频调速系统的研制，该变频器结构紧凑、性能良好、运行可靠，达到国际先进水平。

简介：多电平变换器作为一种应用于高压大功率变换场合的新型变换器，其电路拓扑和PWM控制方法是当前的一个研究热点。本文以中间直流电压源为同发点，发出了一种新的拓扑结构分类法，并对各种拓扑结构进行了分析和比较，同时给出了各种拓扑结构的优缺点。

简介：以天通公司生产的EC49型和ET35型磁芯在彩色电视机电源部分的应用为例，分析开关电源的工作原理及功率软磁铁氧体磁芯的主要性能对开关电源的影响。

简介：22015年5月18日，VishayIntertcchnology，lnc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。VishayDaleResistorsElectro-FilmsBRCP可处理高功率，工作电压高达100V，有120milx35mil（外形A）和240mil×35mil（外形B）两种小外形尺寸，能够在不牺牲性能的情况下，实现更小的产品设计。

简介：VishayIntertechnology。Inc．推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOS—FET—VishaySiliconixSi8445DB．该器件采用MICROFOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。

简介：介绍了一种采用混合集成工艺制作的、具备多种波形和多种频率、且可选择输出的功率信号源模块电路的设计方法，给出了该电路的总体电路结构和关键单元部件的设计过程。同时给出了相关参数的测试原理。

简介：大功率半导体器件的各种应朋中．热设计的重点是对散热器热阻的计算。尤其是单个元件自身功率损耗数百瓦到数千瓦的功率半导体器件。本文通过大功率半导体器件用散热器的散热过程分析，将热阻的计算分为散热器内固体传热过程和散热器与空气间的传热过程两部分，最后给出散热器风冷热阻计算公式和计算实例。同时为了满足实际应用，我们根据此公式开发成功了一种专用风冷散热器热阻计算和曲线绘制软件。与散热器厂家给出的散热器风冷热阻曲线对比，其结果基本吻合。

简介：2005年1月13日上午,由SEMIKRON公司和北京富世佳兴电子器材有限公司联合举办的“现代功率半导体专题研讨会”在北京翠宫饭店二层大会议厅成功举行。

简介：本文第一部分评论了当前最新的一些关键技术,涉及功率器件的进展和它们对功率变换应用的贡献,重点放在IGBT和智能功率模块技术上。后一部分讨论了功率模块发展的新领域,包括满足未来应用需要的SiC功率器件的前景。

简介：为了改善瞬时无功理论谐波检测方法的实时性、准确性,提出了一种改进型ip-iq检测法。该方法通过采用平均值算法,利用简单的积分、延时和增益环节代替了低通滤波器,将延时时间减小到了T/6,同时去掉了锁相环,进一步减小了延时,提高了检测的实时性。运用matlab/simulink搭建了仿真模型,仿真结果验证了该方法的可行性和有效性。

简介：阐述了TOSVERT-MW在火电厂的应用、控制原理及节能效果。给出变频器的优点、变频器的简单原理及一次主接线、设备选择、经济效益分析等。从实际运行情况看,变频器是火电厂及其它工厂节能降耗的优选产品。

简介：本文概要地介绍了第23届国际电力电子器件与功率集成电路会议（ISPSD11）上发表的一些主要研发成果和进展,诸如精细功率技术（包括集成功率器件、集成技术、精细IC拓扑）、高压功率器件（包括IGBT、二极管、高压MOSFET）、新材料功率器件、模块与封装技术、器件与工艺可靠性、低压功率器件等几个方面。

简介：本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50％以上。为进一步改善器件特性，一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中，使得反向恢复电荷减少了将近20％-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中，能提供1．5％的最高效率改进。