金属硅化物β—FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料，禁带宽度约0．80～0．89eV，是制作硅基光电子光源及探测器件以及太阳能电池，热电器件等最有发展前景的硅基半导体材料之一。目前，已经用多种方法在硅衬底上进行了薄膜外延生长及器件制作的尝试，并取得了一定的成功。文中就近年来β—FeSi2材料的晶体结构、能带结构、光电特性及其在光电子器件中的应用进行了综述。
安顺学院学报
2009年1期
