简介：

简介：1、什么是电热膜供暖系统低温辐射电热膜供暖系统又称“嵌入式供暖系统“,简称电热膜,是世界上先进的供暖方式之一,它是一种以电力为能源,通过红外线辐射进行传热的新型供暖方式。低温辐射电热膜供暖系统的主体是电热膜,它是一种通电后能发热的半透明聚酯薄膜。由可导电的特制油墨、金属载流条经印刷、热压在两层绝缘聚酯薄膜间制成的一种特殊的加热元件。

简介：将水膜除尘器供水方式由外水环管改为内供喷嘴形式,避免了水膜除尘器进水口缝隙堵塞的问题。提高了污水的重复利用率,达到节约用水的目的。

简介：新建三聚氰胺系统的循环水系统因在制造，加工，储放运输，安装等一系列过程中混入或产生的氧化皮，焊渣，油污，沙石，泥土和保温材料等各类杂质及腐蚀产物，为循环冷却水的正常投运创造必要的条件，同时也使循环水系统在开车后能够迅速达到设计要求并保证系统的正常稳定长周期的运行，而对循环水系统进行系统化学清洗和预膜。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……

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简介：本文对陕西华经微电子股份有限公司ODS清洗剂替代项目的实施要点和试验技术及项目管理工作进行了总结.根据产品的特点和具体的清洗要求,制定并实施了详细的项目试验进度计划和清洗检验标准,在相关各部门技术人员的努力下,项目进展得比较顺利.现对项目实施过程中的主要思路和体会进行总结,抛砖引玉,为同行们在项目的实施工作中提供一些借鉴.

简介：<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

简介：介绍厚膜混合集成电路的制造工艺,特点以及它在几种电子产品中的应用

简介：<正>美国佐治亚理工学院(GeorgiaInstituteofTechnology)宣布,开发出了特性几乎不会劣化的有机FET。可在大气且低温的环境中制造,有望为柔性有机电子,比如有机类太阳能电池、RFID、有机EL的实用化做出巨大贡献。进行开发的是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授BernardKippelen

简介：<正>Vishay发布新的通过AEC-Q200认证的25W厚膜功率电阻—DT025,它采用小尺寸、表面贴装TO-252型(DPAK)封装。对于汽车、工业和国防应用,VishaySferniceDT025比前一代方案节省更多空间,在PCB上的耗散功率则达到3W以上,阻值范围较宽。DT025是无感器件,阻值从0.016Ω到700kΩ,其外形尺寸为8.2mm×7.3mm的面积和2.8mm的厚度,在DPAK封装内能承受比竞争元器件多10倍

简介：摘要随着我国老龄化的不断加剧，老年患心脏疾病的概率也不断增多，失眠是心内科病人尤其是老年患者经常见的症状之一，又称入睡和维持睡眠障碍，主要表现为入睡困难、睡眠深度或频度过短、早醒及睡眠时间不足。多数是由于疾病本身引起的身体不适，住院引起的环境的改变及心里焦虑造成长期睡眠障碍会影响病人的身心健康及治疗效果。为总结出提高患者睡眠质量的行之有效的护理措施，达到提高患者生活质量的目的，本文主要对老年心内科疾病住院患者失眠的一些问题进行研究。

简介：摘要本文基于博物馆陈列设计的价值出发，分别对博物馆陈列设计的多样性、交流性和艺术性进行探究，旨在提高博物馆陈列设计水平，令博物馆陈列设计满足时代需求，仅供相关人员参考。

简介：据慧聪化工商务网2003年7月11日讯过去20年,人们利用结构可靠性分析(SRA)方法获得的结果,已经制定了腐蚀性油气管道未来安全运行策略。安全运行策略涵盖了对管道最佳复查间隔期的确定、重新检测额度的规定、管子腐蚀速率的降低,以及在需要对某些管

简介：<正>00614HighFrequenceParasiticEffectsforOn-WaferPackagingofRFMEMSSwitches/A.MargomenosandL.P.B.Katehi(UniversityofMichigan,USA)//2003IEEEMTT-sDigest.—1931介绍了RFMEMS开关的圆片级封装设计。所设计的圆片级封装件在频率高至40

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简介：本书主要概述了现代电子制造技术与SMT的特点及安装SMT材料、工艺、设备、管理及SMT热门技术。