简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：<正>M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm栅长GaAspHEMT工艺制作的。上述型号为MASWSS0091发射组件组合了PHEMT天线端口开关、两个双波段InGaPHBT发射功放、一个CMOS控制器和用于匹配和滤波的集成无源网络,其体积为0.03cm~3。

简介：All-opticalwavelengthconvertersareexpectedtobecomekeycomponentsinthefuturebroadbandnetworks.Hereatwo-segmentDFBlaserforthefirsttimeisusedasanall-opticalwavelengthconverter.Usingthislaser,all-opticalwavelengthconversionfrom1.3μmtp1.55μmisdemonstrated。

简介：1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

简介：　　1前言　　1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM为代表的0.4μm器件过渡到以256MDRAM为代表的0.25μm器件.　　……

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：

简介：Superluminescencediode(SLD)moduleswithwidespectrumcharacteristicsarerequiredinfibergyroscopes.A1.3μmbutterflypackagedsuperluminescencediodewiththespectrumwidthover30nmisreportedandrecentadvancesinprocessofSLDisdescribedinthepaper.TheSLDmoduleshavebeenappliedtofibergyroscopes.

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：从亚微米进人到1/4μm时代,VLSI工艺中的平坦化技术与其它的微细加工技术一起被广泛采用.

简介：一年一度的全球消费电子盛典——2011国际消费电子产品展（简称CES）在拉斯维加斯再度揭开序幕。CES堪称消费电子业界的世界杯，在百万平方英尺展区内吸引了来自2700个展商和来自110个国家约14万参展人员。多元化科技创新领导者3M公司以多种前沿科技为参展者呈现了数字沟通的变革方向以及交互和移动式交流的更高境界，由此成为展会亮点之一，受到了与会人员和全球媒体的广泛关注。

简介：提起林诒洪老师．稍微有一点行业资历的人都会知道，林老师在IT、CAD、印前、印刷、喷绘、影像等诸多领域都有着极高的建树。林老师从业三十年，学富五车，博古通今．洞悉技术进步对社会发展的巨大推动力，具有超人的前瞻性。为了请林老师谈谈对行业发展的看法．最近我们去拜访了林老师。

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：Asimpleandeffectivegreedyalgorithmforimageapproximationisproposed.Basedonthematchingpursuitapproach,itischaracterizedbyareducedcomputationalcomplexitybenefitingfromtwomajormodifications.First,ititerativelyfindsanapproximationbyselectingMatomsinsteadofoneatatime.Second,theinnerproductcomputationsareconfinedwithinonlyafractionofdictionaryatomsateachiteration.Themodificationsareimplementedveryefficientlyduetothespatialincoherenceofthedictionary.Experimentalresultsshowthatcomparedwithfullsearchmatchingpursuit,theproposedalgorithmachievesaspeed-upgainof14.4～36.7timeswhilemaintainingtheapproximationquality.

简介：北京汉仪科印信息技术有限公司于2005年8月推出了30款OpenType字库-汉仪宝典之开元字宝1．0版。

简介：Areviewontheprogressofpowerful2μmsilicafibersourcesinpastdecadesispresented.Wereviewthestate-of-the-artrecordsandrepresentativeachievementsof2μmhigh-average-powercontinuouswave,pulsedfiberlasersandamplifiers,andpowerfulsuperfluorescentsources.Challengeswhichlimitthefurtherpowerscalingof2μmsilicafibersourcesarediscussed,includingpumpingbrightnesslimitation,thermalproblem,andnonlineareffects.Potentialandpromisingroadmapstogobeyondtheselimitations,liketandempumpingandbeamcombining,arediscussed.Prospectsofpowerful2μmsilicafibersourcesarealsopresentedintheendofpaper.

简介：Self-organizedIn0.5Ga0.5As/GaAsquantumislandstructureemittingat1.35μmatroomtemperaturehasbeensuccessfullyfabricatedbymolecularbeamepitaxy(MBE)viacycled(InAs)1/(GaAs)1monolayerdepositionmethod.Photoluminescence(PL)measurementshowsthatverynarrowPLlinewidthof19.2meVat300Khasbeenreachedforthefirsttime,indicatingeffectivesuppressionofinhomogeneousbroadeningofopticalemissionfromtheIn0.5Ga0.5Asislandsstructure.Ourresultsprovideimportantinformationforoptimizingtheepitaxialstructuresof1.3μmwavelengthquantumdot(QD)devices.

简介：　　1前言　　关于LSI的高密度化,现以DRAM为例来说,则是从16M开始至64M出厂样品.对于逻辑电路来说,0.5μm级的产品化正在开始.　　……

简介：Inrecentyears,thepotentialofrenewablegreenenergysourceshasbeenextensivelystudied.Theproventechnologywhichisphotovoltaicsolarcellsstrictlydependsondaylightandproduceslow-efficiently.Toovercometherestrictions,onetechnologystudiedisthroughharvestingthethermalradiationenergywhichcanprovidea24-hourenergysource.Thecontinuityofenergysourcespromisesverygoodenergyconversionespeciallyformilitaryapplications.Thisarticlepresentsanewstructurethatcanharvesttheabundantthermalradiationenergyintousableenergyatthewavelengthof10μm.Arectangularstructurewithaperturbationslitwasdesignedtointegratewitharectifiercircuitforgreenenergyconversion.Theslittunneljunctionguidedtheelectromagneticfieldintoajunctionwheretheenergycouldbecollectedandconverted.Anenhancementfactorofapproximately110.6canbeachievedbyaperturbationslitlengthof1.0μm.Theresultsextractedfromtheproposeddesignpromiseabettercandidatetoovercomethedisadvantagesofphotovoltaicsolarcellsforenergyharvestingdevices.

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……