简介：综合分析了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的国内外研究现状,概述了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的润湿性、微观组织、界面反应、力学性能、焊点可靠性、物理性能等性能特点。从钎焊工艺、添加微量元素等方面阐述了Sn-Cu-Ni系钎料各项性能的影响因素,并对Sn-Cu-Ni系钎料的应用前景和研究方向进行了展望。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。

简介：采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

简介：Cu2ZnSnS4(CZTS)粉末被使用ZnS和Cu2没有任何中介，原料直接在450愠?浥瑰?瑳浯d分阶段执行的SnS3

简介：2002年9月美国佳能公司为图形设计人员、办公室及打印服务商推出了三款新品：佳能imagePROGRAFW2200彩色打印机以及W7200／7500宽幅打印机．采用了该公司的1英寸高密度、高精度打印头及喷嘴．这标志着该公司新一代喷墨打印产品的诞生。美国佳能公司打印市场部负责人AmitBagchi说：“我们希望ImagePROGRAF系列产品能够巩固佳能公司在大尺寸打印市场中的领导地位”．36英寸的宽幅

简介：

简介：Cu-andCo-substitutedNiZnferritethinfilms,Ni0.4-xZn0.6CuxFe2O4andNi0.5Zn0.5CoxFe2-xO4(0≤x≤0.2),aresynthesizedbysol-gelprocess.ThecrystallographicandmagneticpropertiesofCu-andCo-substitutedNiZnferritethinfilmshavebeeninvestigated.ThelatticeparameterdecreaseswithCusubstitutionandincreaseswithCosubstitution.ThesaturationmagnetizationdecreasesandthecoercivityincreaseswiththeincreaseofCusubstitution.Moreover,thesaturationmagnetizationgraduallyincreaseswiththeincreaseofCosubstitutionwhenx≤0.10,butdecreaseswhenx>0.10.Meanwhile,thecoercivityinitiallydecreaseswiththeincreaseofCosubstitutionwhenx≤0.10,butincreaseswhenx>0.10.

简介：<正>一般来说,需使用有源器件的75-100GHzW波段的毫米波被认为是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体技术的天地。但随着fT/fmax频率超过150GHz,更新的SiGe工艺可竞

简介：为满足人们对绿色照明的要求，该文设计了节能、高功率因数及总谐波失真低的高压钠灯电子镇流器来替代传统的电感式镇流器，采用有源功率因数校正、恒功率控制、低频方波驱动的三级式结构的电路设计，并搭建了样机，实现了160V～265V宽电压输入，功率因数PF≥0.99，总谐波畸变因数THD≤9．1％，电路可靠工作，通过了电磁兼容传导干扰测试。

简介：ThepreparationofPT/PEK-cfilmsisreportedaswellastheirdielectricandopticalproperties.Thec-axisorientationratioofthefilmsis68%.Dielectricconstantandlossfactorat10kHzisabout4.023F/mand0.003,respectively.Therefractiveindicesofthefilms,neandno,are1.6573and1.6278at0.63μmwavelength,respectively.Theopticalband-gapofthefilmwithathicknessof2.33μmisfoundtobe3.06eV

简介：Nanocrystallineundoped和镍做了锌氧化物(Zn1?xNixO，x=0.00，0.01)粉末被简单、低温度的鈥渁u燃烧方法鈥成功地综合吗？微结构和光吸收和同样准备的样品的排放性质用X光检查衍射(XRD)被获得，扫描电子显微镜学(SEM)，Fourier变换红外线的分光计(FTIR)，紫外可见并且光致发光(PL)。没有任何第二等的阶段，结构学习在做Ni的样品证实六角形的wurtziteZnO的形成。光吸收大小在镍做之上在吸收乐队边显示红移动。乐队差距精力从3.21eV减少到3.17eV。在房间温度下面的同样准备的样品的光致发光系列出现强壮紫外(紫外)并且蓝排放山峰。PL排放研究强烈表明做的Ni能有效地调整在紫外区域在排放山峰导致红移动的精力水平。

简介：文章介绍了一种Ku波段600W固态合成功率放大器的工程实现。根据工程应用的实际要求,该固态功率放大器采用多芯片多级合成,每级功率合成采用了不同的合成方式。其中芯片级合成选择了微带合成方式,模块级合成选择了多腔体空间耦合合成结构,组件级合成选择了波导合成方式。固放以6.5W的MMIC功放单片为基本单元,共采用了128个功放单片合成出大于600W的脉冲峰值功率,功率附加效率高达18.5%,并具有脉冲速度快、频谱纯净、体积小、可靠性高、工程上容易实现等优点。

简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。

简介：UsingCu-phthalocyanine(CuPc),4,4'-diaminodiphenyletherandpyromelliticdianhydrideasmonomermaterials,polyimide(PI)thinfilmsdoped-CuPchavebeenpreparedontoglasssubstratebyvaporphaseco-depositionpolymerizationunderavacuumof2×10-3Paandthermalcuringofpolyamicacidfilminattemperatureof150-200Cfor60min.Inthisprocess,thepolymerizationcanbecarriedoutthroughcontrollingthestoichiometricratio,heatingtimeanddepositionratesofthethreemonomers.IRspectrumidentifiesthedesignedchemicalstructureofthepolymer.Theabsorptionofpolyimidedoped-CuPcisveryintenseinvis-rangeandnear-infraredbyUV-Visspectrum.And,thePIfilmsdoped-CuPcpolymerizedbyvaporphasedepositionhaveuniformity,finethermalstabilityandgoodnonlinearopticalproperties,andthethird-orderopticalnonlinearsusceptibilityx(2)withdegeneratefour-wavemixingcanbe1.984×10-9ESU.

简介：2004年11月，NI与清华大学加大合作力度，在精密仪器和机械系新建虚拟仪器联合教学实验室。

简介：从2003年8月OKI公司推出C5000／C7000／C9000全系列彩色LED页式打印机以来．其出色的产品品质得到了众多用户的青睐．尤其是C5100、C5300等两款入门级产品，与其它厂商的同类机型相比．其打印速度、打印质量、分辨率、功能拓展以及总体拥有成本等指标都遥遥领先．被众多IT媒体授予了”2003年度推荐产品”称号。

简介：研究表明含氟气体的性质决定了原子氟（F）的转化效率,通常在CxFy气体中x的值越大,氟（F）的转化效率也就会越高。所以C3F8（八氟丙烷）比C2F6（乙氟烷）具有更高的利用效率,更少的PFC（全氟化物）的排放。文章主要研究在以四乙氧基硅烷（TOES）为基础的离子增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD）的清洗制程中,利用分解效率高的C3F8气体取代C2F6气体。通过实验设计（DesignOfExperiment,DOE）,调整腔体压力、射频（RF）功率、气体流量等参数,最终得到最优化的新清洗配方。应用到实际的量产中,有效地降低了成本,减少了PFC的排放。

简介：简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细分析了各光刻工艺对光刻胶图形的影响,尤其是前烘对光刻胶图像侧壁垂直度的影响;在深反应离子刻蚀中,还详细分析了刻蚀时间、下电极功率以及刻蚀气体气压对刻蚀结果的影响。经参数优化后获得最佳工艺参数,并制作出带有电子注通道的W波段折叠波导慢波结构,慢波结构深为946μm,侧壁垂直度为91°,电子注通道深为225μm,侧壁垂直度为90°。

简介：RFLDMOSs}／率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点，广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务，LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管，利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后，s波段LDMOSs}／率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3．1～3．4GHz频率范围内，输出功率大于13．8W，功率增益大于12．4dB，效率大于37．9％。