简介:基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
简介:采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.
简介:Cu-andCo-substitutedNiZnferritethinfilms,Ni0.4-xZn0.6CuxFe2O4andNi0.5Zn0.5CoxFe2-xO4(0≤x≤0.2),aresynthesizedbysol-gelprocess.ThecrystallographicandmagneticpropertiesofCu-andCo-substitutedNiZnferritethinfilmshavebeeninvestigated.ThelatticeparameterdecreaseswithCusubstitutionandincreaseswithCosubstitution.ThesaturationmagnetizationdecreasesandthecoercivityincreaseswiththeincreaseofCusubstitution.Moreover,thesaturationmagnetizationgraduallyincreaseswiththeincreaseofCosubstitutionwhenx≤0.10,butdecreaseswhenx>0.10.Meanwhile,thecoercivityinitiallydecreaseswiththeincreaseofCosubstitutionwhenx≤0.10,butincreaseswhenx>0.10.
简介:ThepreparationofPT/PEK-cfilmsisreportedaswellastheirdielectricandopticalproperties.Thec-axisorientationratioofthefilmsis68%.Dielectricconstantandlossfactorat10kHzisabout4.023F/mand0.003,respectively.Therefractiveindicesofthefilms,neandno,are1.6573and1.6278at0.63μmwavelength,respectively.Theopticalband-gapofthefilmwithathicknessof2.33μmisfoundtobe3.06eV
简介:Nanocrystallineundoped和镍做了锌氧化物(Zn1?xNixO,x=0.00,0.01)粉末被简单、低温度的鈥渁u燃烧方法鈥成功地综合吗?微结构和光吸收和同样准备的样品的排放性质用X光检查衍射(XRD)被获得,扫描电子显微镜学(SEM),Fourier变换红外线的分光计(FTIR),紫外可见并且光致发光(PL)。没有任何第二等的阶段,结构学习在做Ni的样品证实六角形的wurtziteZnO的形成。光吸收大小在镍做之上在吸收乐队边显示红移动。乐队差距精力从3.21eV减少到3.17eV。在房间温度下面的同样准备的样品的光致发光系列出现强壮紫外(紫外)并且蓝排放山峰。PL排放研究强烈表明做的Ni能有效地调整在紫外区域在排放山峰导致红移动的精力水平。
简介:UsingCu-phthalocyanine(CuPc),4,4'-diaminodiphenyletherandpyromelliticdianhydrideasmonomermaterials,polyimide(PI)thinfilmsdoped-CuPchavebeenpreparedontoglasssubstratebyvaporphaseco-depositionpolymerizationunderavacuumof2×10-3Paandthermalcuringofpolyamicacidfilminattemperatureof150-200Cfor60min.Inthisprocess,thepolymerizationcanbecarriedoutthroughcontrollingthestoichiometricratio,heatingtimeanddepositionratesofthethreemonomers.IRspectrumidentifiesthedesignedchemicalstructureofthepolymer.Theabsorptionofpolyimidedoped-CuPcisveryintenseinvis-rangeandnear-infraredbyUV-Visspectrum.And,thePIfilmsdoped-CuPcpolymerizedbyvaporphasedepositionhaveuniformity,finethermalstabilityandgoodnonlinearopticalproperties,andthethird-orderopticalnonlinearsusceptibilityx(2)withdegeneratefour-wavemixingcanbe1.984×10-9ESU.
简介:研究表明含氟气体的性质决定了原子氟(F)的转化效率,通常在CxFy气体中x的值越大,氟(F)的转化效率也就会越高。所以C3F8(八氟丙烷)比C2F6(乙氟烷)具有更高的利用效率,更少的PFC(全氟化物)的排放。文章主要研究在以四乙氧基硅烷(TOES)为基础的离子增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的清洗制程中,利用分解效率高的C3F8气体取代C2F6气体。通过实验设计(DesignOfExperiment,DOE),调整腔体压力、射频(RF)功率、气体流量等参数,最终得到最优化的新清洗配方。应用到实际的量产中,有效地降低了成本,减少了PFC的排放。
简介:RFLDMOSs}/率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点,广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务,LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管,利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后,s波段LDMOSs}/率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3.1~3.4GHz频率范围内,输出功率大于13.8W,功率增益大于12.4dB,效率大于37.9%。