简介：美国科学家在极高压下测量纳米材料的结构方面取得重大突破，首次解决了为金纳米晶体结构成像的高能X射线束严重扭曲问题，有望引导科学家们在高压下制造出新的纳米材料，也有助于人们更好地理解行星内部发生的一切。最新技术发表在4月9日出版的《自然·通讯》杂志上。

简介：第三产生同步加速器X光象自然材料一样为许多设计材料的微结构描述提供一个崭新的机会。这篇文章为结构的材料的学习表明三种技术的用法：微分孔的X光检查显微镜学(DAXM)，三维的X光检查衍射(第3DX)，和散布的同时的宽angle/small角度X光检查(蜡/萨克斯风管)。DAXM能与高空间、尖的分辨率在多晶的材料测量3D谷物结构。在使变形的材料，streaked衍射山峰能被用来在单个谷物分析本地脱臼内容。比作DAXM，第3DX能大批印射谷物材料更快速在损坏空间分辨率的情况下。当材料在变丑下面时，发展微观结构，为学习是很有用的。蜡/萨克斯风管对与不同类的结构学习材料合适，例如猛抛加强的合金。蜡和萨克斯风管揭示的结构的信息能为更深的卓见被合为材料行为。这三种技术的未来开发和应用程序将也被讨论。

简介：Intrinsiccarrierconcentration（ni）isoneofthemostimportantphysicalparametersforunderstandingthephysicsofstrainedSiandSi1-xGexmaterialsaswellasforevaluatingtheelectricalpropertiesofSi-basedstraineddevices.Uptonow,thereportonquantitativeresultsofintrinsiccarrierconcentrationinstrainedSiandSi1-xGexmaterialshasbeenstilllacking.Inthispaper,byanalyzingthebandstructureofstrainedSiandSi1-xGexmaterials,boththeeffectivedensitiesofthestatenearthetopofvalencebandandthebottomofconductionband（NcandNv）at218,330and393KandtheintrinsiccarrierconcentrationrelatedtoGefraction（x）at300KweresystematicallystudiedwithintheframeworkofKPtheoryandsemiconductorphysics.ItisfoundthattheintrinsiccarrierconcentrationinstrainedSi（001）andSi1-xGex（001）and（101）materialsat300KincreasessignificantlywithincreasingGefraction（x）,whichprovidesvaluablereferencestounderstandtheSibasedstraineddevicephysicsanddesign.

简介：ThetransportpropertiesintheLa2/3(Ca1-xSrx)1/3MnO3(x=0,1/3,2/3)filmspreparedusingtheRFmagnetronsputteringmethodwereinvestigated.TheeffectoftheCa,Srdouble-dopingattheApositionintheLa2/3A1/3MnO3onthestructureofthetargetsandtransportofthefilmshasbeenstudied.Withtheincreaseofx,thestructuresofthetargetstransformfromtherhombohedralphasetothecubicphase;themetal-insulatorphasetransitiontemperature(Tp)ofthefilmsincreases;andthecorrespondingpeakresistivitydecreases.Allthephenomenacanbequalitativelyexplainedbythelatticeeffect.

简介：近期，中科院化学研究所分子纳米结构与纳米技术实验室研究人员与清华大学生物系合作．通过活细胞单分子成像，在转化生长因子受体聚集状态和激活模式的研究方面取得重要进展，相关研究成果发表于2009年美国科学院院刊（Proe．Natl．Acad．Sei．USA，106，15679—15683，2009）。

简介：介绍了单级衍射光栅的应用背景及其基本理论,分析了单级衍射光栅与传统黑白透射光栅的不同之处.阐述了单级衍射光栅的制作技术,分析了以电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术为主的工艺路线的优缺点.综述了X光单级衍射光栅的发展历程以及存在的问题,并指出了其未来的研究方向.

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简介：Inordertostudythestresscorrosioncracking(SCC)ofX70pipelinesteelanditsweldjointinacidsoilenvironmentofsoutheastofChina,twosimulatingmethodswereusedhere.Theonewastoobtainthebadmicrostructuresinheataffectedzonebyannealingat1300°Cfor10minandaircoolingtoroomtemperature,theotherwastogetaseriesofsimulatingsolutionsoftheacidsoilenvironment.SCCsusceptibilitiesofX70pipelinesteelsbeforeandafterbeingnormalizedinthesimulatedsolutionswerestudiedbyslowstrainratetest(SSRT)andmicrostructuralobservationoffractureareas.Potentiodynamicpolarizationcurveswereusedtostudytheelectrochemicalbehaviourofdifferentmicrostructures.SCCdoesoccurtoboththeas-receivedmaterialandnormalizedmicrostructureafterheattreatmentasthepolarizationpotentialdecreased.Hydrogenembrittlement(HE)isindicatedoccurringtoalltestedmaterialsat-850mV(vsSCE)and-1200mV(vsSCE).TheSCCmechanismsaredifferentwithinvaryingpotentialrange.Anodicdissolutionisthekeycauseaspolarizationpotentialhigherthannullcurrentpotential,andHEwillplayamoreimportantroleaspolarizationpotentiallowerthanthenullcurrentpotential.

简介：

简介：据报道，中国科学技术大学中国科学院量子信息重点实验室孙方稳研究组利用光学超分辨成像技术，突破光学衍射极限，实现对单个自旋态的纳米量级空间分辨率测量和操控，成像精度达4．1nm，为光学衍射极限的1／86，超越2014年诺贝尔化学奖获得者斯特凡·W·赫尔教授等人实现的光学衍射极限1／67的精度。

简介：美国陆军太空与导弹防御指挥部（USASMDC）/美国陆军战略司令部（ARSTRAT）向安德鲁斯航天公司授出了一个开发纳米卫星的合同,以求该卫星能够为美国作战人员提供实时的战术图像。

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简介：Thesystematiclaboratorystudiesontherolesofsulfate-reducingbacteria(SRB)inthestresscorrosioncracking(SCC)susceptibilityofX80steelsubjectedtocathodicpotentialhavebeenconductedinanearneutralpHsoilsolutionbyslowstrainratetests.ThecathodicpotentialandSRBincreaseindividuallytheSCCsusceptibilityofthesteelinthesoilsolution.ThepositiveroleoftheSRBactivitiesinSCCsusceptibilitydependsontheprolongationofpre-incubationtime,andtheSCCsusceptibilityofthesteelincreasesundermorenegativepotentials.What’smore,theappliedpotentialsandthepresenceofSRBworktogetherinpromotingtheSCCsusceptibilityofthesteel.But,thecombinedactionbecomeslimitedwithdecreasingcathodicpotentials.Therelationshipsbetweentheplasticitylossandthepermeablehydrogenconcentrationwereestablishedforthesteelinthesoilsolution,regardlessofunderopencircuitpotentialorcathodicpotentials,inboththesterileandSRBinoculatedconditions.Therelationshipsarepracticallysignificantfortheselectionofsafecathodicprotection(CP)potentialsinthepresenceofSRBinsoilenvironment.

简介：有alloying原子X=C，B，N，O和空缺的镁和它的合金的概括叠的差错(GSF)精力和表面精力用第一原则的方法被调查了。叠的差错精力上的alloying原子和空缺的占优势的减少效果在slip飞机附近在第一层从他们的位置被结果，这被发现。叠的差错精力是将近与纯镁一样当alloying原子和空缺被放在时第二，第三，第4，第5和第6层。O强烈减少Mg的GSF精力，这被显示出。alloying原子C，B和N增加表面精力，但是O和空缺减少Mg的表面精力。Mg和Mg合金的韧性被使用在表面精力和不稳定的叠差错精力之间的比率基于瑞斯标准讨论了。

简介：TheX-raydiffractionpeak-shiftmethodwasintroducedintothedeterminationofdeformationfaultprobability(α)ofFe-Mn-SialloyswithvariousMncontentsandthermomechanicalcyclingnumbers.Thepreciselatticeconstantsrequiredwereobtainedbynumericalcalculationinsteadofusingstandardsamplewithoutanyfault.Theinfluenceofinternalstressonthedeterminedαhasbeenevaluated,andthecausedrelativeerrorwasdeterminedasabout4%andthusnegligible.TheresultsshowthatthedeformationfaultprobabilityincreaseswithdecreasingMn-contentandincreasingcyclenumber,whicharequalitativelyconsistentwiththoseresultsofPsfdeterminedbypeak-broadeningmethod.

简介：软X射线短波段区域（1～10nm）高反射率多层膜的制备对软X射线光学的研究具有十分重要的意义。该波段要求镀膜过程中能减小界面扩散，实现膜厚控制，从而严格限制了制备技术的应用。介绍了软X射线短波段多层膜的发展现状和制备技术，主要包括蒸发沉积、溅射沉积、脉冲激光沉积技术和激光分子束外延，对这些方法进行了比较并提出了今后的研究方向。

简介：采用原位拉伸扫描电镜试验对X100级管线钢的动态塑性形变行为进行观察，并运用EBSD微观取向分析技术对形变前后管体组织的取向变化进行分析。结果表明，X100级管线钢的微观组织由针状铁素体、粒状贝氏体和M／A岛组成。在拉伸应力的作用下针状铁素体首先发生形变，随着应变的增加，针状铁素体形变累积到一定程度后，导致粒状贝氏体发生形变。针状铁素体边界和贝氏体基体上的M／A组织钉扎位错使变形不易发生。由EBSD取向可知，晶体在发生形变后轧面的{110}晶面方向沿拉伸形变方向转动。由扫描电镜照片观察到，在外加应力作用下，夹杂物成为微裂纹形核核心并随着外加应力的增加而扩展，最后连接，导致裂纹贯穿基体直至失效。

简介：国际半导体工艺指南（ITRS）的组织者们，迄今仍主要关注SiCMOS器件，但也在考虑非数字、非Si器件的应用，例如，无线通信。就数字电路来说，HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料，在ITRS的最新版（2005年版）中，有这样的评论：随着本“指南”接近末期，器件将按准弹道模式工作，其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强，实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料（例如，Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道）是需要的。这一陈述是记载在“长期指南（2014-2020年）”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。

简介：介绍了离体单细胞在空气中或生理缓冲液中表面纳米精细结构的AFM表征和AFM在生物大分子如核酸、蛋白、多糖结构细节研究中的相关工作。特别总结了AFM在蛋白分子功能研究和单分子操纵中的应用情况，给出了一些典型的事例。最后，结合试验进展，对仪器自身的改进和发展及其在生物样品研究中的应用前景进行了讨论和展望。

简介：Themetalorganicvaporphaseepitaxy(MOVPE)growthofindiumgalliumnitride(InGaN)hasbeendiscussedindetailtowardsthefabricationofsolarcell.TheInGaNfilmwithIncontentsupto0.4aresuccessfullygrownbycontrollingthefundamentalgrowthparameterssuchastheprecursorgasflowrates,temperatureetc.TheformationofmetallicInoriginatesfromthehighervalue(0.74)oftrimethylindium/(trimethylindium+triethylgallium)(TMI/(TMI+TEG))molarratiowithlow(4100)V/Ⅲweightmolarratiowhilethelowervalue(0.2)ofTMI/(TMI+TEG)causesthephaseseparation.Itisalsonecessarytocontrolthegrowthrateandepitaxialfilmthicknesstosuppressthephaseseparationinthematerial.ThecrystallinequalityofgrownfilmsisstudiedanditisfoundtobemarkedlydeterioratedwithincreasingIncontent.ThelatticeparametersaswellasthethermalexpansioncoefficientmismatchbetweenGaNtemplateandInGaNepi-layerareprimarilyconsideredasthereasonstodeterioratethefilmqualityforhigherIncontent.ByusingIn0.16Ga0.84Nfilms,ann+-phomo-junctionstructureisfabricatedon0.65mmGaNtemplate.Forsuchadevice,theresponsetothelightillumination(AM1.5)isobservedwithanop-ncircuitvoltageof1.4Vandtheshortcircuitcurrentdensityof0.25mA/cm2.Toimprovetheperformanceaswellasincreasesolarphotoncapturing,thedeviceisfurtherfabricatedonthickGaNtemplatewithhigherIncontent.TheIn0.25Ga0.75Nn+-pjunctionsolarcellisfoundbetterperformancewithanop-ncircuitvoltageof1.5Vandtheshortcircuitcurrentdensityof0.5mA/cm2.ThisistheInGaNp-nhomo-junctionsolarcellwiththehighestIncontenteverreportedbyMOVPE.