简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：Measurementsoftheexcitationpower-dependenceandtemperature-dependencephotoluminescence(PL)areperformedtoinvestigatetheemissionmechanismsofInGaN/GaNquantumwells(QWs)inlaserdiodestructures.ThePLspectralpeakisblueshiftedwithincreasingtemperatureoveracertaintemperaturerange.ItisfoundthattheblueshiftrangewaslargerwhenthePLexcitationpowerissmaller.ThisparticularbehaviorindicatesthatcarriersarethermallyactivatedfromlocalizedstatesandpartiallyscreenthepiezoelectricfieldpresentintheQWs.Thesmallblueshiftrangecorrespondstoaweakquantum-confinedStarkeffect(QCSE)andarelativelyhighinternalquantumefficiency(IQE)oftheQWs.

简介：采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

简介：简要介绍了有机电致发光器件的结构、电致发光机理、可用作电致发光材料的种类以及存在的一些问题,简述了电致发光材料及器件的研究现状及对未来的展望.

简介：WecreateaGaNphotocathodebasedongradedAlxGa1-xNbufferlayerstoovercometheinfluenceofbuffer-emissionlayerinterfaceonthephotoemissionoftransmission-modeGaNphotocathodes.Agateshapedspectralresponsewitha260-nmstartingwavelengthanda375-nmcut-offwavelengthisobtained.Averagequantumefficiencyis15%andshortwavelengthresponsesarealmostequivalenttolongwavelengthones.Thefittedinterfacerecombinationvelocityis5×104cm/s,withnegligiblemagnitude,provingthatthedesignofthegradedbufferlayersisefficientinobtaininggoodinterfacequalitybetweenthebufferandtheemissionlayer.

简介：日本松下技术研究公司研制出把si超微粒子作为激活区的室温可见发光器件。在真空稀有气体中进行以单晶si为靶的脉冲激光沉积，在基板上以层状沉积气相生长的si超微粒子，然后进行热氧化，形成被表面氧化膜所覆盖的Si超微粒子聚合体。

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：对器件用特种单模光纤的弯曲损耗进行了理论分析,并采用Matlab对弯曲损耗进行了仿真数值分析,研究了单模光纤宏弯损耗和微弯损耗随光纤波导结构及波长的变化规律,并优化了光纤波导结构,开发出抗弯性能优良的单模光纤,同时具有较低的熔接损耗.

简介：TransientthermalimpedanceofGaN-basedhigh-powerwhitelightemittingdiodes(LEDs)iscreatedusingathermaltransienttester.Anelectro-thermalsimulationshowsthatLEDjunctiontemperature(JT)risestoaverylowdegreeunderlowdutycyclepulsedcurrent.AtthesameJT,emissionpeaksareequivalentatpulsedandcontinuouscurrents.Moreover,thediferenceinpeakwavelengthwhenaLEDisdrivenbypulsedandcontinuouscurrentsinitiallydecreasesthenincreaseswithincreasingpulsewidth.Thus,selectinganappropriatepulsewidthdecreaseserrorsinJTmeasurement.

简介：’97激光电光学会议的逾期论文会期间，发生了光纤激光器的交战。麻省宝丽来公司的M．Muendel首先讨论了双包层掺饵石英光纤激光器。公司研究人员用4个光纤耦合的915nm波长二极管激光条以54w功率泵浦激光光纤，在1100nm波长产生了35．5w泵浦极限输出．或在纤芯上产生140MW／cm^2的峰功率，没有产生光纤损伤或输出不稳定现象，也没有与光纤有关的其它功率限制。

简介：通过GPIB接口,使用VC进行编程,设计了快速测量光通半导体放大器（SOA）各项性能参数的自动测试系统.该系统使得一台计算机同时控制多台光器件测试仪器,并产生详尽的数据报表.该系统提高了工作效率,降低了生产成本,并具有良好的可扩展性.

简介：

简介：研究了光电集成器件的耦合与封装的关键技术,首先分析光纤与PLC波导的z向偏移及角度偏移与耦合效率的关系,发布其3dB容差分别为70μm及5°以内,并分析存在8°反射角及填充折射率匹配胶时耦合情况并仿真验证。该器件采用表面贴光子技术、无源对准、非气密封装实现光与电、有无源的多功能结合。测试了器件的激光器与探测器性能,测试结果表明,该光电集成器件边模抑制比、灵敏度等参量优良。

简介：首先对未来系统光子器件的关键问题进行了综述。并且对半导体纳米结构，特别是基于量子点材料的超快开关器件取得的最新进展进行了讨论。其中包括基于量子点的半导体光放大器，其在超过40Gb／s的速率下展现出偏振不敏感特性；新型基于量子点的垂直腔结构的光开关，其展现出超快、节能、全光开关的特性。概括和讨论了未来基于纳米结构的光子器件的应用。

简介：采用真空蒸镀与化学镀两种方法制备GaN基发光二极管（LED）金电极,分析比较了两种工艺所得芯片成本、外观色差、打线拉力。结果表明,化学镀金可选择性还原欲沉积的金属于电极上,较之蒸镀整面金属,可大幅度节省金属成本,且操作简单易行。化学镀金法所制得金属层,较蒸镀法所制得金属层表面粗糙,可有效减少电极间的色差,且能提高打线或焊线的附着力。

简介：提出了由步进电机控制振镜运转,基于线阵TDI-CCD相机的扫描成像设计方案.通过研究线阵TDI-CCD器件的结构与工作原理,得到对振镜扫描速率和相机行扫描速率进行同步的方法,实现了空间位置配准.采用EC-11相机进行成像实验,扫描成像系统输出了可辨别的图像.

简介：针对目前TD-LTE产业的迅速发展，市场需求日益增大，对所用的10GbpsSFP＋光收发合一模块在技术和成本上也提出了更高的要求。介绍了一款应用于10GbpsTD-LTE的光接收器件的设计，并对封装后的器件进行了测试及分析。该接收器件整体光电性能良好，同时具备低成本和低功耗的优势。

简介：<正>2014年6月18~21日,武汉·中国光谷,2014光电子器件与集成(OEDI)国际学术研讨会(OptoelectronicDevicesandIntegration,OEDI)在华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)(WNLO)隆重举行。此次国际学术研讨会由武汉光电国家实验室(筹)(WNLO)和美国光学学会(OSA)联合承办,

简介：选用高功率脉冲TEACO2激光器,对不同颜色不同种类的油漆进行了清洗实验,运用数码照片分析程序计算出清洁率,找出了完全清洗阈值和损伤阈值.实验结果较为清晰地给出了激光输出能量和重复频率对清洗效果的影响.对红色醇酸漆来说,完全清洗阈值为10.37J/cm^2,而损伤阈值为11.43J/cm^2;红色金属喷漆的完全清洗阈值为9.66J/cm^2,其损伤阈值达10.37J/cm^2;黄色金属喷漆的完全清洗阈值为10.71J/cm^2,损伤阈值则为11.07J/cm^2.输出能量和重复频率未达指定参数时,激光清洗清洁率则低于100%.

简介：所叙述的二氧化碳激光器内部的基本结构.包括功率控制器、射频电路等.通过对功率控制部分的研制使激光器的生产逐步实现国产化.用单片机控制电路的PWM的开关、放大、检测,将放大后的PWM送至射频激励,控制射频电路中的射频信号,从而控制激光器输出光功率的大小.