简介：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法，以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。

简介：近日，在国家02专项和中国封装测试联盟的支持下，由中国科学院微电子研究所发起的国内首个硅通孔（TSV）技术攻关联合体在北京宣告成立并启动了第1期攻关项目。科技部02专项责任专家于燮康，02专项专家组组长、中科院微电子所所长叶甜春以及近30家企业和科研单位代表参加了启动会。

简介：概述了基于新概念的环氧-硅复合树脂的开发，并证实了传统FR-5基材的制造工艺可以适用于环氧-硅复合树脂的覆铜箔板制造。

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简介：DC40／DC100DVD摄像机；Avid全线产品；Synapse系列广播模块系统；WM-3014波形显示器；DeckLinkHDExtreme高／标清视频采集卡；

简介：常规有埋孔的板树脂塞孔是在板电后进行,而树脂塞孔后削溢胶工序易产生材料不可控涨缩、板翘、露基材等,而消溢胶后为确保线路制作品质需进行减铜和磨板流程,使得此类板制作流程时间长,易产生报废隐患,且增加了电镀铜、磨刷成本.本文通过优化流程,对做成线路的埋孔板直接进行树脂塞孔再压合,取消了塞孔后削溢胶流程,这样大大提高了生产效率、减少制程报废、降低制作成本.

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简介：IEEE802．16是为制订无线城域网标准而专门成立的工作组，该工作组自1999年成立以来，主要负责固定无线接入的空中接口标准制订。为了推广基于IEEE802．16和欧洲电信标准组织（ETSI）高性能无线城域网（HiperMAN）协议的无线宽带接入设备，并且确保他们之间的兼容性和互操作性，2001年4月，由业界主要的无线宽带接入厂商和芯片制造商共同成立了一个非营利工业贸易联盟——全球微波接入互操作性（WiMAX）组织。

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简介：介绍了一种利用直流电源进行微盲孔和通孔同时电镀的工艺，同时给出了相关的工艺条件和电镀效果。

简介：<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功

简介：近日,澳大利亚通过硅元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学（UNSW）量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

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简介：随着改革开放的不断深入和发展，近几年我国文化艺术领域得到前所未有的迅速发展，文艺演出的表演形式、表演内容越来越丰富；各种规模的艺术中心、歌舞剧院在全国各地兴建；各省、市、自治区电视台在改造老型演播室的同时．纷纷计划筹建大型多功能演播厅，以满足人民群众在精神生活上日益增长的需求。

简介：详细介绍了不溶性阳极（DSA）的起源、发展和在电镀行业上的应用。

简介：大陆投资环境转变或经营未见改善，台湾地区上市PCB厂近期出现求售大陆厂风潮，晟钛、定颖电子董事会都决议处分各自位于浙江省、福建省的公司。

简介：本文详细介绍了钛换热器中磁性氧化铁垢化学清洗的原理、施工方案、化学监督、工程注意事项,以及一个成功的清洗案例.

简介：随着PCB制作技术的高速发展，HDI基板布线密度与孔径分布日趋精密化、微型化，顺应HDI成孔加工技术需要，激光成孔技术在国内得到广泛应用。本文针对我国HDI市场生产需要，从目前各HDI厂商所采用的HDI技术入手，阐述了前HDI生产中所使用的激光钻孔技术，并就其激光成孔原理、成孔技术特征、工艺特性及加工过程等方面进行了分析、对比与探讨。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在硅基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所（KIT）的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米硅质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1310nm波长范围,