简介：装置通过STM32系列单片机作为控制芯片,对电流大小进行控制。同时利用电路简单、精度高的传统恒流源电路,反馈电路和控制电路设计出可以通过蓝牙控制的磁场发生器。

简介：目的：研究燃爆弹跳驱动器热-动力学模型,分析驱动器的输出性能,并通过试验验证驱动器热-动力学模型的正确性。创新点：1.建立了燃爆弹跳驱动器热-动力学模型,得到燃爆弹跳驱动器的相关输出参数随时间的变化规律;2.通过理论仿真与试验测试分析了驱动器的输出性能。方法：1.根据对燃爆弹跳机器人工作过程分析,推导出燃爆弹跳驱动器工作过程中的动力学模型,并对锁紧力与弹簧刚度参数进行测试;2.根据热-动力学模型推导出燃烧室内压力随时间变化的函数;3.通过试验测试驱动器驱动弹跳过程中压力和位移随时间的变化曲线,将测试结果与热-动力学模型仿真的结果进行比较。结论：1.建立了燃爆弹跳驱动器的热-动力学模型,得到了驱动器的输出性能参数;2.试验测试结果与仿真计算结果吻合,证明了驱动器热-动力学模型的正确性。

简介：采用两个同类型放大器芯片负载共享并联输出技术,设计了一种新型大动态范围示波器信道保护电路.该保护电路输入、输出电压幅度范围均为±10V,线性良好,输出电压噪声均方根值低于229μV,大信号带宽优于200MHz.当输入电压幅度超过±10V范围时,输出电压幅度稳定在±10V附近,无明显上冲、下冲现象,可以有效防止大电压幅度输入信号损坏示波器信道,达到保护示波器测试数据安全的目的.

简介：基于SolidWorks软件建立实体建模,导入ANSYS软件进行模态分析,将实体模型简化为圆盘转子模型进行谐响应分析。

简介：介绍了微结构半导体中子探测器的原理,从微结构形式、制作工艺、理论模拟及实验研究等方面综述了微结构半导体中子探测器近年来的研究进展。可以看出,微结构半导体中子探测器结构、参数、中子转换材料填充密度及甄别阀大小等因素对中子探测效率有影响。微结构半导体中子探测器具有中子探测效率高、体积小、时间响应快、工作偏压低等优点,是替代^3He正比计数管的理想器件。

简介：主要是输出300Hz-3KHz范围类的信号频率,并将输出信号放大10倍,用Multisim观察检测结果。

简介：基于方波的傅里叶级数理论,设计了一种双层同轴结构的方波快脉冲直线变压器驱动源（fastlineartransformerdriver,FLTD）模块。依据20kJ-KrF准分子激光驱动源的参数要求,估算了放电支路、磁芯以及FLTD次级参数。设计的方波FLTD模块直径为2.6m,高度为0.23m,含36个主放电支路、16个3次谐波放电支路和8个5次谐波放电支路。建立了方波FLTDPSPICE电路模型,模拟结果表明,FLTD模块输出为近似方波,电流峰值为950kA,上升时间为46ns,90%峰值的平顶宽度为217ns。

简介：从光学谐振腔阈值条件的推导出发,利用光学薄膜设计软件Filmstar为谐振腔的左右腔镜各设计了两种光学薄膜,使1030.5nm-1055.5nm波段连续可调谐的Yb：YAG激光器实现了工作状态的最优化.针对左右腔镜,对设计方案所得结果进行了比较,并分析了方案的可行性.结果表明,左腔镜两设计方案与优化目标的差距均小于1.15%;右腔镜两设计方案与优化目标的差距均小于0.05%,本文设计为激光器谐振腔的腔镜镀膜提供了可靠的理论依据.

简介：对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响：随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.

简介：介绍了一种小型的高压纳秒脉冲发生器,该发生器的主要结构单元包括螺旋型多倍宽脉冲形成线和电晕火花开关。其中,螺旋型多倍宽脉冲形成线由Tesla外线和多段螺旋阶梯内线构成,阶梯线置于Tesla内磁芯的内部,结构紧凑;电晕火花开关有利于发生器的重频稳定工作。该发生器整体长度约630mm,形成线采用MIDEL7131合成酯介质,以5倍脉宽形成脉冲时可以输出23ns脉冲,波形前沿快,平顶好,输出脉冲电压约105kV,重频30Hz。

简介：利用Geant4工具包,采用强迫碰撞方法,模拟氘氚聚变中子与反冲质子法脉冲中子探测系统中的聚乙烯靶作用产生反冲质子的过程,计算了反冲质子在不同厚度Si-PIN半导体探测器灵敏区中的能量沉积谱,并将模拟计算结果与实验结果进行比较,分析给出了探测器灵敏区厚度。结果表明,计算得到的探测器灵敏区厚度与探测器灵敏区真实厚度在3%以内吻合,证明了模拟计算方法的可行性。同时,还计算了不同厚度的铝吸收片条件下,反冲质子在探测器灵敏区内的能量沉积,得到了沉积能量随铝吸收片厚度的变化曲线,可为反冲质子法脉冲中子探测器系统设计提供参考。