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43 个结果
  • 简介:<正>石墨烯(Graphene)自十几年前诞生以来就一直让科学家们着迷。这种仅仅一个原子厚度的碳元素材料拥有出色的电子特性、强度、超轻重量,用途也不断拓宽,但是如何为其植入能隙(bandgap/半导体或是绝缘体的价带顶端至传导带底端的能量差距),从而制造晶体管和其它电子设备,却始终让科研人员束手无策。

  • 标签: 石墨烯 六方氮化硼 电子特性 传导带 能隙 hexagonal
  • 简介:文章讨论了几种薄膜残余应力测试方法的优缺点,介绍了氮化薄膜应力沿层深分布趋势的最新研究,偏压和N2分压工艺对薄膜应力的影响及几种调节薄膜残余应力的有效方法.脉冲偏压增大,薄膜残余应力显著增加:N2分压增大,薄膜残余应力显著增加.采用独立变化脉冲偏压或变化N2分压工艺制备的薄膜,其残余应力沿层深分布趋势明显均匀,薄膜残余应力可得到有效调整.

  • 标签: 残余应力 应力分布 氮化物硬质薄膜
  • 简介:很多人都对光立方绚烂的效果印象深刻,心动不已。但要制作一个光立方不但需要很强的动手能力,还要有足够的耐心设计一大堆LED驱动电路,最后还要为硬件成品开发显示程序,让光立方运行起来。对于一个初学者来说,要完成这些工作,难度非同寻常。为此,本期介绍一款仅需极少元器件、制作简单,即使是初学者也可以制作出的规范、美观的光立方作品。

  • 标签: 立方 制作 动手能力 驱动电路 显示程序 初学者
  • 简介:本文通过对菊花施用不同处理的速乐TM和持力TM,比较硼肥对菊花中重要的指标绿原酸、槲皮素、木犀草素及总黄酮含量的影响。结果表明:喷施1200倍浓度的速乐TM对菊花的中各组分的含量影响与对照(喷清水)相比有显著提高。

  • 标签: 菊花 速乐硼 持力硼
  • 简介:摘要目的通过含量测定制定丁乳膏的质量标准。方法采用气相色谱法测定丁香酚的含量;采用紫外-可见分光光度法测定硼砂的含量。结果丁香酚进样量为0.01759-0.28144μg时线性关系良好,平均加样回收率为99.6%(RSD=0.52%,n=5);硼砂在0.018mg/ml~0.18mg/ml范围内线性关系良好。结论该方法简便,可靠,准确,可用于该制剂的质量控制。

  • 标签: 丁香酚 硼砂 丁硼乳膏 气相色谱法 紫外-可见分光光度法
  • 简介:系统论述了稀土复合渗的最新研究进展,分析了渗的热力学基础,稀土渗的机理研究,稀土复合共渗以及渗零件的组织与性能研究。为以后的进一步研究具有重要的指导意义.

  • 标签: 渗硼 复合共渗 强化机理
  • 简介:目前,我国正在稳步有序推进核电厂建设项目。核电发展离不开核安全,符合安全要求的核设备是核电厂的安全运行的基本保障。本文将详细阐述核电厂注箱主要技术参数、制造工艺和检验要求,用合格的工艺方案来保证核安全要求的实现。

  • 标签: 工艺方案 制造工艺 核电厂 安全要求 建设项目
  • 简介:<正>距本刊上一次采访汤昌丹,时间已经过去了17个月。与上次见面相比,汤昌丹脸上依然是笑容可掬,但不同的是在汤昌丹带领下的深圳瑞华泰薄膜科技有限公司(以下简称"瑞华泰")在不经意间"轻舟已过万重山",从当初的创业艰难步入平稳快速发展期。而当初让汤昌丹和瑞华泰声明大噪的"黄金薄膜"——聚酰亚胺薄膜产品,也已经完成第一期项目的建设,3条1200毫米幅宽高性能聚酰亚胺薄膜连续化生产线正式投产,目前达到年生产能力350吨,成为业内首屈一指的龙头企业。而过去的8年中,作为瑞华泰总经理的汤昌丹经历的,却远远不止这些,

  • 标签: 华泰 发展期 轻舟已过万重山 连续化生产 化学研究所 应用领域
  • 简介:8月24日,参加“水立方杯”海外华裔青少年中文歌曲大赛以及赛后颁奖晚会的两名选手邢云鹏和邵震上顺利返回西班牙,并接受了记者的专访。

  • 标签: 华文教育 教育学 教学管理 汉语 高校
  • 简介:采用溶胶-凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的氧纳米化铝纳米薄膜;通过XRD及AFM分析表征了烧结温度对纳米氧化铝薄膜的晶型及颗粒尺寸变化的影响。在900℃烧结时,氧化铝结构薄膜样品以非晶相和γ-Al2O3共存,颗粒尺寸50纳米;当烧结温度为950℃时开始向θ-Al2O3转变,颗粒尺寸几乎不变,有小颗粒生成,1050℃时基本完成θ-Al2O3转变,颗粒尺寸15纳米,1200℃时基本完成向α-Al2O3的转变,颗粒尺寸20纳米,在晶型转变过程中其晶粒尺寸由大变小而后再变大。

  • 标签: 溶胶-凝胶法 纳米氧化铝薄膜
  • 简介:首先对ETFE薄膜进行了单向拉伸试验,由应力应变曲线计算力学参数:屈服强度、屈服应变、切线弹性模量和割线弹性模量.采用两种环氧树脂1:1质量比制备胶黏剂,实现应变片与ETFE粘结协同,然后对其标定.研制了由荷载模拟、ETFE气枕、压力控制系统和测量系统组成的试验系统.成功地进行了风压、风吸正常承载力试验和极限承载力试验,应用三维扫描仪实现ETFE气枕形态无接触测量,并与数值分析结果进行了对比.本文成果对ETFE气枕设计具有参考价值.

  • 标签: ETFE气枕 荷载模拟 压力控制系统 极限承载力 无接触测量
  • 简介:为了探索夏季(6~8月)日气象负荷的最佳分离方式和引起日最大电力负荷波动的主要因子,以及建立预报模型最佳个数,基于北京市2005~2010年逐日最大电力负荷和间期的气象资料,分析了北京地区日最大电力负荷的变化规律,采用不同方法将气象负荷从夏季日最大电力负荷中分离出来,分析北京夏季气象负荷与气温、相对湿度、降水及炎热指数、高温持续日数、炎热日数持续时间、前一日气象负荷等因子之间的关系,并基于2005--2009年夏季逐日气象负荷和其主要影响因子采用逐步回归方法建立日最大电力负荷的预报模型,将2010年夏季北京日最大电力负荷作为预报效果的独立样本检验。结果显示:2005~2010年,北京逐日最大电力负荷具有明显的线性增长趋坍,夏季日最大电力负荷具有显著的星期效应;与去掉逐年夏季日最大电力负荷趋势和夏季平均日最大电力负苘趋势相比,去掉全年逐日最大电力负荷变化趋势的夏季日气象负荷预报模型的拟合能力更优;北京夏季日气象负荷与当日气温的相关系数最高,与前一日气象负荷也关系密切;利用前一日相对气象负荷和当日气缘要素一周逐日分别建立预报模型的拟合和预测效果较好。

  • 标签: 北京 日最大电力负荷 气象因子 趋势分离方式 预报模型
  • 简介:由于红外吸收光谱法具有许多突出的优点,因此它在许多领域有广泛的应用。在薄膜、合成纤维、橡胶、塑料等高聚物的研究方面,用于单体、聚合物、添加剂的定性、定量和结构分析。一般高聚物的红外光谱中谱带的数目很多,而且不同种类的物质其光谱很不相同,特征性很强。此外红外光谱法的制样和实验技术相对比较简单,它适用于各种物理状态的样品。本实验研究以高聚物薄膜材料做样品,对样品高聚物进行红外光谱分析,分析表明,本实验所用样品高聚物成分为聚乙烯材料,这个实验结果也表明,用红外光谱法鉴定高聚物的组成非常有效。红外光谱法用于定量组分分析,与其它测量方法相比,具有制样简单方便、重复性好和测量精度高的特点。

  • 标签: 高聚物 红外光谱 薄膜 聚乙烯
  • 简介:在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶,用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜,XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构;SEM与AFM表明,纳米晶薄膜在300%退火后薄膜的厚度明显减小到130nm,表面粗糙度降低到3.27nm,粒径明显增大;紫外-可见吸收和透射比光谱表明,随着退火温度的增加,吸收边发生了红移,吸收肩更明显,薄膜具有高的透射率(75—85%);薄膜方阻随温度增加而增大,300℃以下退火方阻增加很小(小于8.5Ω/sq),400℃以上退火方阻大幅增加(大于21.1Ω/sq),因此,ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。

  • 标签: ZNO纳米晶 ZNO薄膜 水热法 旋涂法
  • 简介:以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构.用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺.STO薄膜的介电特性分析:在100kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050.

  • 标签: SRTIO3薄膜 溶胶-凝胶法 介电常数
  • 简介:TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W(CW)射频输出功率。

  • 标签: 功率晶体管 氮化镓 放大器 尺寸 半导体公司 输出功率
  • 简介:帝斯曼集团于近日宣布,与其共同开发合作伙伴MFFolienGmbH公司已运用帝斯曼生物基聚酰胺EcoPaXX@PA410材料,成功生产出新型聚酰胺薄膜。作为全球领先的聚酰胺薄膜生产企业,MFFolien公司在EcoPaXX薄膜研发之初即成为帝斯曼的开发合作伙伴。

  • 标签: 绿色环保材料 帝斯曼 膜产品 聚酰胺薄膜 GmbH公司 合作伙伴
  • 简介:Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与SL工艺兼容,采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(HeterojunctionBipolarTransistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。

  • 标签: SI1-X-YGEXCY 光学表征对准性能 HBT异质结双极晶体管