简介：近日，深圳恒丰德电子有限公司举行SemiWell新产品技术交流会，吹响了韩国功率器件公司进军本土市场的号角。

简介：摘 要：功率器件VDMOS电参数直接影响着器件工作性能，其电参数失效模式众多，其中源漏漏电IDSS最为常见，且其失效原因复杂，同时也最难解决。本文就其中一种渐变型IDSS失效进行分析总结，并优化在线工艺，提升良率。

简介：摘要：

简介：摘要：微波功率器件是指工作在微波频段、具有一定Q值的固态电子器件。其中，固态微波功率器件（SMPTE）是指由具有一定Q值的半导体材料制成，以二次电子为能量来源的微波电子器件。从其工作原理上看，SMPTE器件具有典型的电子管特性，即当电流达到某一点时，其电压、电流、功率等物理量都会发生急剧变化，最终表现为产生高电压、高电流。固态微波功率器件直流参数测量技术是检验其工作特性的重要手段，其测量结果直接影响SMPTE器件的性能指标及测试方法的选择。因此，本文主要介绍固态微波功率器件直流参数的测量技术。

简介：摘要：大功率半导体器件能够提供高效率、高可靠性和高性能的能源控制解决方案，对于实现绿色能源、节能减排以及推动电动化、智能化进程具有至关重要的意义。随着电动汽车、可再生能源和智能电网等领域的迅速发展，对大功率半导体器件的需求也日益增长，因此大功率半导体器件的发展不仅关乎科技创新，更关乎能源革命、产业升级和社会发展。本文将探讨大功率半导体器件的发展现状、关键技术挑战以及未来展望，以期为相关领域的研究人员、工程师和决策者提供有益的参考和启发。

简介：摘要：本文对一种适用于IGCT功率器件的柔直功率单元试验系统进行描述，试验系统由高压三相整流柜、三相柱式调压器柜、升压变压器柜、空心电感、试验控制台、监视测量柜等设备组成。该试验系统主要是对功率单元的电气性能进行验证，同时满足IGCT功率器件双脉冲测试、短路测试等试验，对优化产品设计、提高产品质量起到支撑作用。

简介：本文采用GaN功率管芯,以S参数为基础设计了一个X波段宽带功率放大器,并与实测数据进行了对比。结果表明该电路在6~12GHz范围内,小信号增益全频段大于10dB,饱和输出功率高于37dBm,带内增益波动小于1dB。

简介：<正>"现在,业界对GaN功率元件的期待已达到最高峰。实际上这的确是一种非常有前景的材料。但其中还有很多未知的部分,采用还为时尚早",在与汽车展会"AUTOMOTIVEWORLD2014"同时举办的研讨会上,英飞凌科技负责汽车用高压功率半导体和驱动IC等业务的电动动力传动系统部高级总监Mark-

简介：作为电力电子技术基础的电力电子器件的发展令人瞩目。GTO与IGBT的应用方兴未艾,它们既竞争而又不能互相取代,但同时也暴露出了各自的不足。GCT和IEGT正是针对它们的不足而新开发出的电力电子器件,并已展现了其广阔的应用前景。本文作者对此作了较详细的论述,相信会使读者感兴趣。

简介：介绍电力机车传动系统的构成,对开关器件功率损耗进行简要分析,通过与传统硅基功率器件在机车变流器应用的对比分析,说明碳化硅(SiC)功率器件在轨道交通领域的应用优势。

简介：全包封功率器件相对于半包封功率器件更容易达到安规要求,其需求出现了逐渐增加的趋势,但是全包封器件的分层问题一直困扰着业界。通过分层现状的调查,分析了分层存在的界面和产生原因,通过优化试验找到了解决分层最有效的措施是中大芯片表面缓冲层,从而使全包封功率器件的可靠性达到更高要求。

简介：从碳化硅（SiC）功率半导体器件的等效电路入手，分别讨论了碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）与碳化硅结型场效应功率晶体管（SiCJFET）的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题，设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明，SiC新器件具有良好的开关特性，驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。

简介：<正>宾夕法尼亚、MALVERN—2011年11月14日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新器件—SiZ300DT和SiZ910DT—以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm×3mm、6mm×3.7mm和6mm×5mmPowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

简介：本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上，结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势，最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。

简介：摘要：功率集成电路是集成电路一个重要的支系，作为系统控制要素弱电与执行要素强电的纽带，在电子技术、智能控制、电器通信、车用电子等方面起着极其重要的作用。功率集成电路中的高压器件因为高压电流的性能需求始终是研究开发功率集成电路中的核心与难点，并直接关系到功率集成电路的发展。基于此，本文首先对功率集成电路高压器件进行了简单的介绍，并就功率集成电路中高压器件的设计展开了论述，最后对功率集成电路的未来发展趋势进行了分析。

简介：摘要：发射机字面意思就是发射的机器，至于他发射的是什么，一般是为电磁波。发射机(a transmitter circuit)主要任务是完成有用的低频信号对高频载波的调制，将其变为在某一中心频率上具有一定带宽、适合通过天线发射的电磁波。广泛应用于电视，广播，雷达等各种民用、军用设备。主要可分为调频发射机，调幅发射机，光发射机等多种类型。

简介：  摘要：IGBT等功率电子元件在工作时，由于自身功率的损耗，引起大功率元器件IGBT温度升高。因此，要计算散热，计算出最大的散热器到环境温度的热阻，设计成适用的散热器，把热量散到外部环境，确保大功率器件高效的工作。

简介：摘要：热阻值是评判功率MOSFET器件热性能优劣的重要参数，因此热阻测试至关重要。通过对红外线扫描、液晶示温法、标准电学法3种热阻测试方法比较其优缺点，总结出标准电学法测试比较适合MOSFET热阻测试。在此基础上依据热阻测试系统Phase11，阐述功率MOSFET热阻测试原理，并着重通过实例对标准电学法测试热阻的影响因素测试电流Im、校准系数K、参考结温Tj以及测试夹具进行了具体分析，总结出减少热阻测试误差的方法，为热阻的精确测试以及器件测试标准的制定提供依据。

简介：摘要：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管)是由一组主要由半导体元器件BJT(双极型三极管)和半导体三极管单元MOS(绝缘栅型场效应管)单元共同作用，组成的一类新型的复合半导体全控型电压补偿驱动式的小功率半导体器件。大功率直流驱动式高性能IGBT电力逆变器系统是把能源逆变流场处理的技术及其应用基础与多种现代数字能源直流自动传输及其控制技术有效集成结合的又一种高性能核心器件,在中国高铁、智能电网、汽车新能源装备设计研制应用等国内外各相关领域内其应用前景价值也极高广。本文介绍了大功率 IGBT 器件在动车组牵引传动变流器上的应用。

简介：摘要：随着电力需求的不断增长和能源环境的日益紧张，高功率密度智能化集成功率器件及其并联应用成为了当前电力领域的研究热点。高功率密度智能化集成功率器件具有体积小、功率密度高、效率高、可靠性强等优点，能够满足现代电力系统对高效能电力转换和智能控制的需求。本文将对高功率密度智能化集成功率器件及其并联应用进行研究和探讨，旨在为电力系统的高效运行和可持续发展提供技术支持和理论指导。