简介:文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性,并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础,用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器,具有一定的通用性.
简介:电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。