简介：文章论述了金锡共晶烧结工艺在功率器件焊接中的应用，分析了金锡共晶烧结温度、时间和压力对芯片粘接质量的影响。同时分析了金锡焊料重熔后粘接层孔隙的变化，试验表明金锡共晶烧结时控制好烧结工艺参数，可以保证多次重熔对粘接层孔隙率的影响，粘接质量能满足相关要求。

简介：超宽带技术是一种无载波通信技术,利用纳秒至微微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据,相对于窄带技术,使用超宽带技术进行无线传输具有很多优势。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,可以看出经过优化后其S11和S22在3.1GHz~10.6GHz范围内都小于-10dB,而正向增益S21根据-3dB带宽计算可得其符合要求的频率范围达到2.4GHz~10.4GHz,噪声系数NF在2.8GHz左右达到最低值1dB,平均在2.5dB,可以认为是比较低的。整体而言电路符合UWB技术所运用范围。

简介：摘要在社会进步，科技日新月异的新时期，我国机械制造业也迎来增速发展，传统的机械制造工艺已难以满足现代机械制造的需求。因此，在实际机械制造中需要引入现代化技术与精密加工技术，为我国现代机械制造业提供稳固支持。

简介：摘要碳素工具钢原料来源易取得，切削加工性良好，热处理后可以得到高硬度和高耐磨性。本文以T10钢为例研究碳素工具钢的性能。T10钢淬透性低，且耐热性差（250℃），在淬火加热时不易过热，仍保持细晶粒,韧性尚可，强度及耐磨性均较T7-T9高些，但热硬性低，淬透性仍然不高，淬火变形大。本文主要围绕T10的四组淬火处理实验及一组对比实验进行金相与硬度的对比。

简介：在亚微米的半导体生产制造技术中，二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压，已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验，进行排查与分析，并利用各种先进的实验设备和器材，炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等，找到产生颗粒污染的原因，并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时，提高了机台的使用率，而且改善了颗粒污染的状况，最终获得良率的提升，优化了制造工艺。

简介：自对准双重图型（SADP）技术广泛应用于28nm以下节点逻辑电路制造工艺和存储器制造工艺。与其他双重图形技术（LELE,LPLE）相比,在处理二维图形分解时,SADP面临更复杂的要求。针对一种简单的二维图形,介绍了3种图形分解方法,可以有效改善线宽和对准工艺窗口。

简介：摘要汽车驱动桥模块化设计很大程度上由各个零件间的关联关系确定，但零件配合属性通常是模糊的。为方便汽车驱动桥产品的模块化设计，运用了模糊关联分析与求解的设计方法。根据模糊概念理论，运用模糊关联规则对数据进行了规整和优化，建立了产品设计的模糊关联系统，给出了属性模糊矩阵，从而有效地处理模糊信息，为后续的模块化设计奠定基础。

简介：LowK材料具有较高的脆性，在芯片封装测试过程中容易被损坏，因而Cu／low—K的结构的引入对芯片的封装工艺提出了很大的挑战。文章中提出引线键合工艺中冲击阶段的近似数学模型，由计算机仿真结果证实该理论模型的合理性。通过对计算机仿真结果的分析得到优化的LowK芯片引线键合工艺参数设置范围，实验设计的优化结果表明本研究提出的计算机仿真优化方法是有效的。

简介：全球领先的电子制造业精密清洗产品及服务供应商ZESTRON隆重推出业界首款专门设计用于喷淋工艺的全新维护清洗产品ATRONSP400。

简介：<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

简介：摘要：在机械制造中，是否有一个合适的工艺，将会影响到机械制造的质量和费用，甚至影响到机械制造的效率。本文就是以此为切入点，对其中所牵涉的几个问题进行了深入的讨论。在工艺可行性分析中，着重对工艺方法、工艺和设备进行了探讨，以确保工艺的合理和效率。从“设计-制造一体化”角度出发，探讨了在产品开发过程中，怎样实现产品开发过程中的“设计-制造”一体化，从而实现产品开发过程中的“最优”目标，从而实现产品开发过程中的“最优”目标。在数字制造方面，本文讨论了如何通过数字制造技术，实现机械加工过程的智能和自动化，提高加工精度和效率，并降低生产成本。通过对以上问题的剖析，提出了相应的改进措施和办法，希望能为国内企业提供更好的产品。

简介：<正>与现行的陶瓷和层压模块等封装解决方案相比,专为高集成度RF模块而设计的CSP(chip—scalepackaging,芯片规模封装)封装工艺—Pyxis平台有望使封装的成本、高度和面积分别下降50%、60%和75%。由封装工艺开发商美国的Tessera公司推出的此项技术能够将RF模块与功率放大器、收发器、滤波器以及开关等周边电路结合起来。与传统的9mm×10mm大小的层压式封装相比,Pyxis技术将无源器件以及所需衬

简介：摘要目前航空空心叶片热成形的工艺参数选择不够合理，使得叶片成形质量欠佳。由于板料较厚且属于加热成形范畴，使得板料的起皱缺陷和拉裂缺陷不容易发生或不明显，而叶片成形后的厚度不均匀和回弹缺陷突出。因此为了深入了解成形工艺参数对叶片成形质量的影响规律，本章以成形时主要工艺参数板料加热温度、摩擦系数、压边力和保压时间作为因子变量，以叶片成形后的最小厚度值量和最大回弹量（Z向）为目标变量，通过控制变量法来研究空心叶片背弧成形时的最佳工艺参数区间，为后续的需要最佳的工艺参数组合提供基础。

简介：引线键合在多芯片微波组件微组装上应用广泛,通常会用金丝实现芯片与基板、基板与基板间的互连。自动金丝球焊是互连方法的一种,它具有生产效率高、一致性好的特点。文章针对在生产过程中出现的第一键合点成球缺陷展开原因分析,即键合工艺参数不当、真空系统故障和线夹间距不当等。系列试验验证,线夹间隙不当可造成上述缺陷,解决该问题的办法是将线夹间隙调整到0.05mm。

简介：气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

简介：确信电子组装材料部（CooksonElectronicsAssemblyMaterials）现已在全球范围推出无松香波峰焊助焊剂ALPHAEF-6000，这是其EF系列环保助焊剂的最新产品，专为新型无铅工艺和锡铅工艺而设计。在组装厂商从锡铅工艺转向无铅工艺的过程中，

简介：国家经济贸易委员会1999年12月30日公布第16号令:《淘汰落后生产能力、工艺和产品的目录》(第二批)已经国务院批准,现予发布,自2000年1月1日起施行。

简介：精细图形制作的前处理工艺对印制电路板的铜表面粗糙度影响很大。对一款新开发的PTFE覆铜板表面采取机械磨刷、喷砂研磨、化学微蚀3种前处理工艺,通过SEM及粗糙度结果分析了处理后铜面的粗化效果。结果表明,化学微蚀前处理方式有利于获得较好的铜面外观,采用相应的图形制作工艺参数可达到较好的线宽精度要求。

简介：7月22日,VirageLogic公司和中芯国际集成电路有限公司共同宣布其长期合作伙伴关系扩展到40nm的低漏电工艺技术。VirageLogic公司和中芯国际从最初的130nm工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP,涵盖的工艺广泛还包含90nm以及65nm。

简介：前言：这一课程强调实施无铅焊接焊接的必备知识。包括背景，焊料，表面镀层，元器件，基板，组装工艺，返工和无铅焊接的可靠性。此外，还讨论失效模式，挑战和解决办法。