简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：扼要介绍DC－DC变换器的发展走势，详细描述MD系列功率IC的特性及其在DC－DC变换器中的应用。

简介：本文研究了过压抑制电路的原理与特性,分析比对了几种过压抑制电路的工作特性。研究了HXD_2电力机车辅助变流系统的工作特性,利用Crowbar功率模块的技术特点实现在斩波系统中的过压抑制。本文重点描述了HXD_2机车Crowbar电路的电气结构、工作原理及设计准则,研制了样机并进行了分析试验。研究表明,过压抑制模块保护响应快,阀值设定可靠合理,对保护辅助供电系统过压有很好的作用。

简介：摘要本文以高中生物学教材中适合培养学生思维特性的实际教学内容为例，从学生思维流畅性的培养、学生思维变通性以及独特性的层面进行探究和讨论，最后提出了在高中生物学教学过程中对于学生思维特性培养的有效性策略。

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：快速发展的NB-IoT作为物联网的重要技术之一,已经进入了商用的飞速发展时期。而基于NB-IoT的终端一致性测试是NB-IoT重点关注的测试内容。本文主要介绍了NB-IoT终端一致性测试中连接管理特性和相应的TTCN-3代码设计。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：La1.4Sr（1.6-x）CaxMn2O7（x=0,0.2,0.4,0.8,1.0,1.4,1.6）系列的多晶样品是使用固相反应的方法得到的,它是一种具有两层钙钛矿结构的锰氧化物,通过XRD分析,当0≤x≤0.8时,样品架构是Sr3Ti2O7四方型,空间群是I4/mmm,成为两层钙钛矿的架构;当1.0≤x≤1.6时,样品架构是ABO3正交型,空间群是Pbnm,成为立方架构CaO与ABO3型钙钛矿架构混合物。

简介：摘要：本次设计一种110kV及以上SF6断路器特性速度测试专用工具，包括固定组件，包括底板、设置于所述底板顶部的安装盒，以及设置于所述安装盒顶部和底部的紧固件；以及，防滑组件，包括设置于所述安装盒一侧的缠绕件、设置于所述底板两侧的触发件，以及设置于所述触发件内部的调节件。本设计通过固定组件和防滑组件的设置使得本装置能够牢固地将速度传感器固定在断路器的分合闸传动杆上，避免在使用过程中发生移动。

简介：

简介：焊球与铜互连是芯片倒装封装中两种主要的互连结构,而随着数字电路时钟频率的不断提升,差分信号已成为高速数字电路中最常用的信号形式。采用HFSS全波仿真方法对芯片倒装封装中高速差分信号在差分对焊球和铜互连结构中的传输特性进行了研究。首先在理想情况下对差分对焊球结构进行了建模,分析了焊球阵列中焊球的尺寸和节距参数对差分信号传输特性的影响,发现在假定焊球节距为焊球直径2倍的情况下,现阶段常用的直径为0.1-1.27mm的焊球中焊球尺寸和节距越小越能在宽频段内实现更好的传输性能。其次对平行式和内弯式、外弯式非平行差分铜互连结构进行了对比研究,发现平行式结构优于内弯式非平行结构,内弯式非平行结构优于外弯式非平行结构。

简介：日前，西门子公司向市场投放了两款最新的多功能软起动器产品，它们是Sirius3RW40和Sirius3RW44。

简介：摘要随着经济社会的发展，天然气得到了充分的开发和应用，而流量计量是其生产和使用过程中必须得到解决的一个问题。只有实现了天然气的准确计量，才能确保交易过程中的公平性，同时也有助于生产工艺的改善和优化。因此，本文首先分析了天然气计量的相关原理，高级孔板阀的特性，进而从软、硬件两方面探讨了误差的产生，并提出了相应的解决措施。