简介:目的:目前基于知识工程的设计过程自动化领域有一个缺陷,即缺乏一个语法、语义、公理完善的过程模型表示技术以便在不同平台之间共享,从而实现互操作。研究期望通过两个关键步骤来实现设计过程自动化。方法:1.对非规范化建模方法进行分析对比(表1);2.分析过程建模技术应该满足的功能,细化成不同的要点对不规范的建模方法进行分析对比,同时分析可以表示不同设计分解特征的规范建模技术。结论:1.明确了设计过程自动化的两个关键步骤:(1)非规范化地获取设计过程中的关键点,(2)将非规范化模型映射为规范化表示;2.分析得出表示不同设计分解特征的规范化表示方法和技术(表2);3.根据分析结果,可以选择最优的非规范化和规范化建模方法,从而支持设计过程自动化。
简介:探讨用等离子体喷涂方法制备降低较高强度材料与U-Nb合金之间的摩擦性能的减磨层的可行性以及这些减磨层的摩擦特性。选用Sn为软涂层,ZrO2为硬涂层。采用SulzerMETCO9M等离子体喷涂机制备了Sn单层、ZrO2单层、Sn/ZrO2双层、Sn+ZrO2混合层等4种涂层。利用CSEM型销盘型摩擦磨损试验机分析了半径为3mm的U-Nb合金对偶销在涂层上滑动时的干摩擦特性,滑动速度分别为0.42,6.4,26.16cm/s。涂层为典型的等离子体喷涂涂层形貌。表面为Sn的涂层颗粒熔合状况和致密性比ZrO2单层好,其粗糙度低,Sn+ZrO2混合涂层表面形貌与ZrO2单层相近。Sn和ZrO2分别以bcc结构的Sn和四方结构ZrO2结构存在。
简介:在相同的反应体系中当ph值从约9.5调变至11时分别合成出双中孔SiO2和六方中孔SiO2材料,并用XRD、N2吸附、TEM、TG/DTA和FTIR等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明,双中孔SiO和六方中孔SiO2是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六方中孔SiO2相比,双中孔SiO2也具有典型中孔材料的特征XRD谱图,虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单XRD衍射峰(d=5.2nm),但它却给出一种独特的N2吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与SiO2骨架间相似的相互作用,两类材料给出类似的FTIR谱图和TG/DTA曲线。然而,在双中孔SiO2的FTIR谱图中960cm处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔SiO2较六方中孔SiO2具有更高的骨架聚合度。更多还原
简介:通过Cu纳米颗粒掺杂制备了Li[(Ni0.6Co0.2Mn0.2)1-xCux]O2三元正极材料,并通过调节Cu的掺杂量,讨论了Cu的掺入对Li[(Ni0.6Co0.2Mn0.2)1-xCux]O2三元正极材料晶体结构、表面形貌、电化学性能和循环性能等一系列性能的影响,铜掺杂量为x=0.01时,在0.2C倍率下的首次放电比容量达到了219.1mAh/g,经过50次充放电循环之后,剩余比容量为115.4mAh/g。最终结果为Li[(Ni0.6Co0.2Mn0.2)1-xCux]O2中Cu的掺入量为x=0.01时,所得正极材料的电化学性能和循环性能最为优异。