简介：有机场效应晶体管（OFETs，OrganicFieldeffecttansistors）在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用，引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型，并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响，并指出相应的优化途径。

简介：<正>在2012年12月于美国举行的"IEDM2012"上,被采用的4篇论文中,有2篇是有关氧化物半导体的成果。可以看出Si(硅)行业对该材料备受关注。氧化物半导体具有可在低温下制备、性能高且透明的特点,正在以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化,夏普于2012年针对液晶面板开始量产

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：

简介：<正>氧化物半导体的应用领域不仅局限于显示器驱动晶体管,现在还提出了在玻璃基板和柔性基板上集成使用氧化物半导体的透明运算电路等独特应用。不过,氧化物半导体存在难以实现CMOS电路的缺点,因为很难形成p型晶体管,以前推出的In-Ga-Zn-O晶体管全是n型。

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简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：

简介：日前，据台湾媒体报道，随着时序进入半导体市场传统旺季，功率半导体MOSFET市场供给缺口持续扩大，国际IDM大厂又无扩增新产能，导致MOS—FET价格已连续3季度调涨，目前第三季价格已上涨一成。而国际IDM厂下半年MOSFET产能也已被预订一空，在此情形下，ODM／OEM厂及系统厂大举转单台湾供应商，而国内随着中兴通讯重启运营，也带动大陆厂商MOSFET订单大增，在涨价缺货的现象下，仍不乏我国部分系统厂愿意加价两成采购。可以料定，下半年旺季，预计MOSFET供需紧张仍将继续。

简介：气敏传感器在现代工农业、信息技术、环境监测等领域都有重要应用。随着这几个领域的发展，人类对其综合性能要求越来越强，进而不断积极改良气敏传感器的性能。金属氧化物气敏元件是利用金属氧化物半导体的表面电阻遇到被测气体发生变化的原理制成的电子器件，其选择性和稳定性是研究气敏元件的两项重要指标。文章概述了金属氧化物元件气敏特性的研究进展，介绍了基体材料、掺杂材料、气敏材料的制备工艺、电极材料及结构等几个因素对元件气敏特性的主要影响，并对各种因素的作用机理进行了分析。最后展望了金属氧化物气敏元件的发展前景。

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布，两家公司就采用MLP3×3（Power33TM）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。

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简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。

简介：对35micro-x封装的微波晶体管防自激老化电路的各部分功能进行了详细介绍,讨论了如何判定管子是否处于稳定工作状态的方法。通过在测试间里搭建老化电路,模拟实际老炼状态,使用红外热像仪测试壳温的方法,比较了不同散热条件下的壳温测试数据,得出了管子的壳温以及管帽和管底之间的温度差。试验证明：在管底使用铝块和导热硅胶相结合散热的方法,能解决35micro-x封装形式的低结温晶体管老化过程中的结温控制问题。

简介：<正>Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarprocess)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。

简介：本文介绍节能灯用晶体管的技术特性和发展现状,尤其是一些新型高反压高速功率晶体管,可用来进一步提高节能灯的质量及安全特性。

简介：<正>M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030MHz～1090MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5dB;在严格的S模脉冲猝发条件下,器件的饱和输出

简介：传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。